CZTS薄膜太陽電池における硫化条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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CZTS化合物ターゲットを用いたRFスパッタ法によりCZTSプリカーサを作製し,異なる硫化保持時間で気相硫化することにより,CZTS薄膜の硫化条件の最適化を試みた.その結果,硫化温度が520℃,昇温速度が40℃/minでかつ,硫化保持時間が1時間のCZTS薄膜太陽電池において,膜ムラが少なく,太陽電池特性の分布が小さくなることを確認した.また,J_<sc>=15.58mA/cm^2,V_<oc>=635.8mV,η=5.72%,F.F.=0.58,R_s=6.58Ωcm^2,R_<sh>=466.7Ωcm^2を得た.
- 2012-10-19
著者
-
鷲尾 司
長岡工業高等専門学校電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工業高専
-
神保 和夫
長岡工業高専
-
樋口 健人
長岡工業高等専門学校専攻科
-
神保 和夫
長岡工業高等専門学校専攻科
-
鷲尾 司
長岡工業高等専門学校専攻科
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