E-B蒸着・気相硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製と評価
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概要
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E-B蒸着・気相硫化法により、Cu_2ZnSnS_4 (CZTS) 薄膜の作製に成功した。この薄膜は、太陽電池の光吸収層への応用が期待されている。本材料は、稀少元素であるInや毒性の強い元素Seを含んでいない。X線回折スペクトルより、CZTS薄膜がスタナイト型構造を持つこと、3元系化合物等の異相が含まれていないことを確認した。ZnSを含む、プレカーサを採用したことで、CZTS薄膜のガラス基板への付着性が大幅に改善された。CZTS薄膜の光学的バンドギャップは、太陽電池光吸収層の最適値に近い1.45[eV]であった。
- 1997-10-31
著者
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
石垣 直也
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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西村 正人
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
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片桐 裕則
長岡工高専
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片桐 裕則
長岡工業高専
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