CuInSe_2 薄膜の諸特性における熱処理の影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
スパッタ・セレン化法で作製したCuInSe_2薄膜に、大気アニールを施し、諸特性の変化を調べた。X線回折において、(204),(220)面のスプリットピークが、大気アニール時間と共に劣化する傾向が見られた。同時に、(112)面の配向度も減少した。光吸収特性では、基礎吸収端より低エネルギー側での光吸収が増加した。EPMAより、アニール時間の増加と共に、Cu/In比は増加し、Se/Me比は減少することが認められた。減圧Arアニールでは、この組成の変化が促進される結果となった。抵抗率の変化については、規則性は見いだせなかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-30
著者
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
-
西片 寿仁
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
樋浦 栄寿
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
塚田 優子
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
安 啓鍾
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工高専
-
片桐 裕則
長岡工業高専
関連論文
- RFスパッタ法によるMo, ZnO薄膜の作製と評価
- E-B蒸着・気相硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製と評価
- スパッタ・セレン化法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価(II)
- 溶融法によるCu_2ZnSnS_4結晶の作製(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 太陽電池に向けたSi基板上CuInS_2薄膜の検討
- タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカル アニールによるZnO:Al膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- RFスパッタ法によるZnO薄膜の作製と評価
- パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 長岡高専における組込システム技術者育成研修とその活用
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法による均質なZnO薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 同時スパッタプリカーサを用いたCZTS薄膜太陽電池(薄膜プロセス・材料, 一般)
- C-6-7 Wメッシュにより生成した水素ラジカルによるZnO:Al薄膜のアニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタリング法によるAZO透明導電膜の水素アニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 多元系化合物Cu_2ZnSnS_4光吸収層による新型薄膜太陽電池の開発
- C-6-4 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法により作製したZnO薄膜の水素プラズマアニールの効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 新材料による化合物薄膜太陽電池
- 大気開放CVD法によるZnO:Al薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 蒸着・硫化法によるCu_2ZnSnS_4系薄膜太陽電池の作製
- Cu_2ZnSnS_4系薄膜太陽電池の開発
- 同時スパッタ・気相硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製と評価
- CuInSe_2 薄膜の諸特性における熱処理の影響
- In_2Se_3,Cu を原料とした CuInSe_2 薄膜の作製と評価
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- C-6-12 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したガラス基板上ZnO膜へのスパッタ下地層挿入効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- CZTS薄膜太陽電池における硫化条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-2 高エネルギーH20を用いてスパッタバッファー層上に成長したZnO膜の特性(C-6.電子部品・材料)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 汎用原料を用いたCu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜太陽電池の紹介
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果