大気開放CVD法によるZnO:Al薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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Cu,ZnSnS_4(CZTS)系薄膜太陽電池の窓層ZnO:Alを、大気開放化学気相成長(Atmospheric Chemical Vapor Deposition:CVD)法により作製した。原料には、金属錯体を用いた。基板温度550℃において、42分の作製時間で600nm程度の極めて平坦な膜が得られた。同条件において、可視光領域で70%以上の透過率、10^<-3>Ωcm台の抵抗率を得た。X線回折より基板温度の上昇と共に(002)面へ配向することが明らかになった。ノズル-基板間距離を狭めるにつれて、低抵抗率化する傾向があることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-05
著者
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
-
神保 和夫
長岡工業高等専門学校
-
小柳 泰輔
長岡工業高等専門学校専攻科
-
篠田 俊介
長岡工業高等専門学校専攻科
-
小林 武
長岡工業高等専門学校専攻科
-
片桐 裕則
長岡工高専
-
片桐 裕則
長岡工業高専
-
神保 和夫
長岡工業高専
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