同時スパッタ・気相硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製と評価
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概要
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同時スパッタ・気相硫化法により、Cu_2ZnSnS_4薄膜の作製に成功した。この薄膜は、太陽電池の光吸収層への応用が期待されている。本材料は、稀少元素であるInや毒性の強い元素Seを含んでいない。X線回折スペクトルより、4元系化合物はスタナイト型構造を持つこと、3元系化合物Cu_3SnS_4を異相として含むことを確認した。この異相成分は、硫化保持時間の増加と共に著しく減少した。CZTS薄膜の光学的バンドギャップは、太陽電池光吸収層の最適値に近い1.45[eV]であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-31
著者
-
五十嵐 淳
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
-
石田 猛
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工高専
-
片桐 裕則
長岡工業高専
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