Cu_2ZnSnS_4系薄膜太陽電池の開発
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概要
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高基板温度E-B蒸着・気相硫化法によるCu_2ZnSnS_4(以下CZTS)薄膜の作製に成功し、太陽電池応用の観点から各種の評価を行った。X線回折測定より、作製した薄膜が異相成分の少ないスタナイト型結晶構造を持つことを確認した。光学測定より、本薄膜の光学的バンドギャップは1.45eV付近であること、基礎吸収端付近での光吸収係数は10^4cm^<-1>台であることを明らかにした。さらに、Al/ZnO/CdS/CZTS/Mo/Glass構造の薄膜太陽電池を作製し、開放電圧522mV, 短絡電流14.1mA/cm^2, 変換効率2.62%を確認した。この変換効率は、本材料系薄膜太陽電池における現在世界のトップデータである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-30
著者
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