蒸着・硫化法によるCu_2ZnSnS_4系薄膜太陽電池の作製

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概要

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• 省資源・無毒性薄膜太陽電池の作製を目指し、Cu_2ZnSnS_4(CZTS)系薄膜太陽電池を作製した。光吸収層CZTS薄膜の作製には、気相硫化法を用いた。溶液成長法による界面層CdS作製では、Cd源に従来のCdSO_4、の替わりにCdl_2,を採用した。この結果、太陽電池出力特性のFFが従来の0.4台から0.6台へと大きく改善され、変換効率も4.25%まで上昇した。さらに、ナトリウム添加による効果を検証するため、Na_2S/Mo/SiO_2,/SLG基板上でCZTS系薄膜太陽電池を作製した。その結果、FF:0.60,変換効率 : 5.45%の値を得た。これらの値は、本材料系太陽電池におけるトップデータである。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-11-06

著者

• 片桐 裕則

  長岡工業高等専門学校 電気工学科

• 片桐 裕則

  長岡工業高等専門学校

• 森谷 克彦

  長岡工業高等専門学校 専攻科

• 土田 宗和

  長岡工業高等専門学校 専攻科

• 森谷 克彦

  長岡技術科学大学

• 片桐 裕則

  長岡工高専

• 片桐 裕則

  長岡工業高専

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