RFスパッタ法によるZnO薄膜の作製と評価
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概要
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RFプレーナー・マグネトロンスパッタ法によりZnO薄膜を作製し、太陽電池応用の観点から各種の評価を行った。ZnO+Zn : 0.5wt%ターゲットでは、Znドープ量の不足から低抵抗薄膜は作製できなかった。ZAO (ZnO+Al_2O_3)ターゲットでは、Al_2O_3ドープ量の増加と共に、抵抗率が減少した。また、スパッタ時の高基板温度と低ガス圧力が、薄膜の高品質化に重要であることを明らかとした。ZAO (ZnO+Al_2O_3 : 2.0wt%)ターゲットを用い、基板温度200℃・ガス圧力1.7mTOrrの製膜条件で、10 ^<-4> Ωcm台の低抵抗率が達成された。同時に、禁制帯幅以上のエネルギー領域において、90%以上の高い透過率を確認した。これらの特性は、本材料が太陽電池窓材料として充分有望であることを示している。さらに、60日間の抵抗率変化を調査したところ、低ガス圧力で作製した試料では経時変化が全く認められなかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-15
著者
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
-
宮島 晋介
長岡工業高等専門学校電気工学科
-
篠原 寛之
長岡工業高等専門学校電気工学科
-
車谷 智美
長岡工業高等専門学校電気工学科
-
斉藤 言栄
長岡工業高等専門学校電気工学科
-
鷲尾 司
長岡工業高等専門学校電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工高専
-
片桐 裕則
長岡工業高専
-
鷲尾 司
長岡工業高等専門学校専攻科
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