ZnS エピタキシャル成長に及ぼす Ag 添加の影響
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概要
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真空蒸着法を用いてSi(100)基板上に ZnS 薄膜を作製した。膜厚、EPMA、X線回折、RHEEDにより評価を行ったところ、undope の場合は、基板温度が上昇するにつれて、薄膜の配向性、結晶性が向上することが分かり、基板温度320℃でエピタキシャル成長することが分かった。基板温度320℃において Ag を添加したところ、ZnS 薄膜中に Ag が均一にドープされていることが確認された。そして、添加された Ag の濃度を増加させるにつれて薄膜の配向性、結晶性が悪化することが分かった。
- 1995-09-29
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