スプレー法によるCuInS_2薄膜の作製[III]
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概要
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スプレー法により、原料溶液中のCu、In、Sの割合を変化させてCuInS_2薄膜を作製すると、成膜中の組成制御がある程度可能になることをEPMAにより明らかにした。そして、{112}面が基板に平行に成長する傾向が認められ、結晶性と配向性は成膜中のCu/In比が増すにつれ向上することを述べた。吸収係数の測定より、禁制帯幅は単結晶に近い1.45〜1.47eVであることを示し、低ホトンエネルギー領域での吸収が格子欠陥に基づくことを推論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-08
著者
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
川上 貴浩
新潟大学工学部
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
小出 任子
新潟大学工学部
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