スパッタ法による Eu を付活した SrAl_2O_4 薄膜の作製
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概要
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スパッタ法を用いて、新しい長残光性材料であるEuを付活したSrA1_2O_4の薄膜化を試みた。Si基板上にスパッタによって得られた薄膜では、発光は観測されず、X線回折ピークもみられなかった。しかし、還元性気体中でスパッタ薄膜をアニールすることでX線回折ピークは、原材料粉末やターゲットとほぼ同じパターンが得られた。特に300℃の基板上に作製されたスパッタ薄膜では、520nmに発光ピークを持つフォトルミネッセンスも観測された。また、その薄膜の特性はESCAによって調べられた。SrA1_2O_4:Eu薄膜の作製はこれまで行われておらず、今後の応用に役立つものと考える。
- 1995-09-29
著者
-
新保 一成
新潟大学工学部電気電子工学科
-
清水 英彦
新潟大学工学部電気電子工学科
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
川上 貴浩
新潟大学工学部
-
太田 雅壽
新潟大学工学部
-
太田 雅壽
新潟大学工学部電気電子工学科
-
太田 雅壽
新潟大学工学部機能材料工学科
-
加藤 景三
新潟大学工学部
-
傳井 達
新潟大
-
Kato K
Shizuoka Johoku Senior High School Shizuoka Jpn
-
傳井 達
新潟大学工学部電気電子工学科
-
清水 英彦
新潟大学工学部
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