ATR法によるポリイミドLB膜上液晶分子のチルト角の評価
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概要
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アルミニウム薄膜上に、ラビングフリーのポリイミド (PI) LB膜を液晶配向膜として用いた液晶セルを作製し、電圧印加による液晶分子の振るまいを全反射減衰 (ATR) 法を用いて評価した。このとき、配向膜表面近傍の液晶分子の配向状態に強く依存する表面プラズモンポラリトン (SPP) と、液晶セル中のバルクでの液晶分子の配向に依存する導波モードを同時に共鳴励起することができた。このATR測定結果と理論計算を比較することで、配向膜表面近傍から液晶セルの中間層に至る液晶分子のチルト角変化を高感度に評価することが可能となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-11-21
著者
-
馬場 暁
新潟大学超域研究機構
-
新保 一成
新潟大学工学部電気電子工学科
-
若松 孝
茨城工業高等専門学校
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
加藤 景三
新潟大学工学部
-
馬場 暁
新潟大学工学部電気電子工学科
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
Kato K
Shizuoka Johoku Senior High School Shizuoka Jpn
-
Kato Ken-ichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Osaka City University
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