SrAl_2O_4:EU薄膜の作製と熱刺激発光特性
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概要
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本研究では, 粉末で強い蛍光を示すことが知られているSrAl_2O_4:EU, Dyの薄膜化を目指す準備段階として、対向ターゲット式RFスパッタ法を用いてSrAl_2O_4のスパッタリング薄膜の作製を試みてきた。その結果、Si基板上に堆積されたスパッタ薄膜は、還元性ガス(H_2+Ar)雰囲気中においてアニールすることで、約520nmに発光ピークを持つフォトルミネセンスと長残光性蛍光が観測された。また、作製されたスパッタ薄膜の熱ルミネセンス(TL)特性を観測し、残光特性を調べた。更に詳しい残光特性と評価するためパーシャル・ヒーティング(PH)法によるTL測定(PH-TL測定)を行い残光特性に関するトラップ分布を求めた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-29
著者
-
新保 一成
新潟大学工学部電気電子工学科
-
加藤 景三
新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
川上 貴浩
新潟大学工学部
-
太田 雅壽
新潟大学工学部
-
太田 雅壽
新潟大工
-
太田 雅壽
新潟大学工学部電気電子工学科
-
太田 雅壽
新潟大学工学部機能材料工学科
-
上村 拓也
新潟大
-
傅井 達
新潟大学大学院自然科学研究科
-
上村 拓也
新潟大学大学院自然科学研究科
-
小倉 行博
新潟大学大学院自然科学研究科
-
Kato K
Shizuoka Johoku Senior High School Shizuoka Jpn
-
Kato Ken-ichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Osaka City University
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