反応性スパッタ法によるCuInS_2薄膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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Cu及びInターゲット前での基板停止時間を原子層オーダー程度で制御し,反応性ガスCS_2雰囲気中で各金属ターゲットを交互スパッタすることにより,[Cu]/[In]比の異なる薄膜を作製した.薄膜の組成は,高CS_2ガス分圧では(Cu_2S,Cu_<1.96>S)-(CuInS_2)-(CuIn_5S_8)-(In_2S_3)擬固溶体系に,低CS_2ガス分圧では(Cu_2S,Cu_<1.96>S)-(CuInS_2)-(InS,In_5S_4)擬固溶体系に対応して変化した.CuInS_2の化学量論組成に対応した薄膜はp形で,CuInS_2,以外のX線回折ピークは観測されず,その基礎吸収端はCuInS_2の禁制帯幅に対応していた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-23
著者
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
坪井 望
新潟大学工学部
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
坪井 望
新潟大学工学部機能材料工学科
-
山口 拓也
新潟大学大学院自然科学研究科
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
坪井 望
新潟大学大学院自然科学研究科
-
大石 耕一郎
長岡工業高等専門学校
-
坪井 望
新潟大 工
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