S層R層交互積層膜の熱処理によるBaフェライト薄膜の作製
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概要
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本研究では、熱酸化シリコン基板上及びZnO下地層上にFe_3O_4層(S層)とBaO・3Fe_2O_3層(R層)を種々の基板温度で交互積層した後、空気中で熱処理を行い、Baフェライト薄膜を得ることを試みた。その結果、成膜時の基板温度やZnO下地層の有無により熱処理後のBaフェライト薄膜の配向性や磁気特性は大きく変化し、(1)低温で作製した膜ほど、低い熱処理温度でもBaMの結晶化が起こること、(2)基板温度200℃で作製した膜を熱処理するとc軸配向膜が得られること、(3)熱酸化シリコン基板上に直接積層した薄膜の方がZnO下地層上に積層した薄膜に比べBaM結晶子が成長し易い傾向が認められることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-08
著者
-
清水 英彦
新潟大学工学部電気電子工学科
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
篠崎 秀明
東京工芸大学工学部
-
星 陽一
東京工芸大学工学部
-
加藤 景三
新潟大学工学部
-
井川 博行
神奈川工科大
-
井川 博行
神奈川工科大学
-
井川 博行
神奈川工科大学工学部
-
上原 功
東京工芸大学工学部
-
金 真一郎
東京工芸大学工学部
-
井川 博行
神奈川工科大学応用化学科
-
Kato K
Shizuoka Johoku Senior High School Shizuoka Jpn
-
清水 英彦
新潟大学工学部
-
星 陽一
東京工芸大学 工学部 システム情報学科
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