室温にてスパッタ法により作製したAZO薄膜の特性の検討

概要

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本研究では,マグネトロンスパッタ法及び対向ターゲット式スパッタ法により,室温にてAZO薄膜を作製した後,特性を評価することにより,スパッタ法により作製されたAZO薄膜の問題点の検討を行った。その結果,MS法により作製された膜は,***ージョン上付近の結晶性が悪い傾向があり,ガス圧が高くなると全体的に結晶性が悪くなる。それに対し,FTS法により作製された膜は,基板の中心から外側に向かうに従って,若干結晶性が悪くなるが,ガス圧による結晶性の大きな違いは観測されなかった。MS法により作製された薄膜は,基板中心から約15mm付近まで抵抗率が増加し,基板中心から約15mm付近で最も高い抵抗率を示した後,基板の端に行くほど抵抗率が減少する傾向があった。それに対し,FTS法により作製した薄膜は,基板中心から20mmの間では抵抗率の分布に顕著な違いは観測されなかった。また,FTS法により作製された膜は,MS法により作製された膜に比べ,抵抗率が約1桁,小さな値であることが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2010-07-22