RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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本研究では,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法(低電圧スパッタ法)に注目し,この方法により室温にてAZO薄膜を作製し,検討を行った。その結果,低電圧スパッタ法にて作製した薄膜の結晶性及び電気特性は,通常のDCマグネトロンスパッタ法に比べ,基板位置による変化が少なかった。これらのことから,膜面内方向における特性の変化を抑制する方法として低電庄スパッタ法は有効であると考えられた。
- 2011-10-19
著者
-
坪井 望
新潟大学工学部
-
岩野 春男
新潟大学工学部
-
坪井 望
新潟大学工学部機能材料工学科
-
川上 貴浩
新潟大学工学部
-
清水 英彦
新潟大 工
-
福嶋 康夫
新潟大学大学院自然科学研究科
-
福嶋 康夫
新潟大学工学部
-
永田 向太郎
新潟大学工学部
-
清水 英彦
新潟大学工学部
-
坪井 望
新潟大 工
-
野本 隆宏
新潟大学工学部
-
名越 克仁
新潟大学大学院自然科学研究科
-
樫出 淳
新潟大学大学院自然科学研究科
-
富口 祐輔
新潟大学工学部
-
永田 向太郎
新潟大学
-
富口 祐輔
新潟大学大学院自然科学研究科
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