スプレー法によるCuInS_2薄膜の作製(I)
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概要
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300℃のガラス基板上にCu(CH_3COO)_2、InCl_3、(NH_2)_2CS溶液を用いて,スプレー法によりCuInS_2薄膜を作製した。X線回折、EPMAおよび透過率測定により膜の評価を行ったところ,溶液中のCu、In、Sのモル比を調整することにより、薄膜の配向性、結晶性および組成が改善されることがわかった。伝導型は全てp型で,抵抗率は1〜10^4Ωcmとわたるが,S欠損の少ない膜で高抵抗率になる傾向があった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-17
著者
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
川上 貴浩
新潟大学工学部
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
小出 任子
新潟大学工学部
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