反応性スパッタ法によるCuInS_2薄膜の作製
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概要
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CS_2を反応性ガスとする反応性スパッタリングによりCuInS_2半導体薄膜を作製した。作製にあたって、CuとInの分割型ターゲットを備えた直流3極スパッタ装置を用いた。基板温度を150、350℃として、それぞれの条件でCS_2分圧を変化させた。X線回折測定とEPMAにより膜を評価した結果、CS_2の分圧が0.02Pa付近で化学量論的組成に近いCuInS_2薄膜が得られることが明らかにされた。化学量論的組成に近い膜の禁制帯幅は単結晶の値よりやや低かった。また、膜を構成する元素の原子数比Cu, Inが大きいとき抵抗率が下がる傾向があった。
- 1994-09-12
著者
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
川上 貴浩
新潟大学工学部
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
小林 康之
新潟大学工学部
-
于 丹陽
新潟大学工学部
-
M.M. サリナント
東京工業大学
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