スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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本研究では,市販ターゲットを用い,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法による膜堆積時の基板温度変化や堆積後の熱処理によって,作製されるAZO薄膜に及ぼす影響の検討を行った。その結果,基板温度を上昇させることにより,膜の結晶性が向上するのに対し,熱処理による結晶性の大きな向上は得られなかった。また,本研究にて作製した膜は,移動度が小さいことから,約1×10^<-3>Ω・cmとITO膜などに比べ,大きな値であった。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-10-19
著者
-
坪井 望
新潟大学工学部
-
岩野 春男
新潟大学工学部
-
川上 貴浩
新潟大学工学部
-
清水 英彦
新潟大 工
-
福嶋 康夫
新潟大学大学院自然科学研究科
-
福嶋 康夫
新潟大学工学部
-
永田 向太郎
新潟大学工学部
-
清水 英彦
新潟大学工学部
-
野本 隆宏
新潟大学工学部
-
名越 克仁
新潟大学大学院自然科学研究科
-
富口 祐輔
新潟大学大学院自然科学研究科
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