パルススパッタ法を用いた薄膜作製プロセスの検討(薄膜プロセス・材料, 一般)

概要

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マグネトロンスパッタ源および対向ターゲット式スパッタ源を用いて、通常のユニポーラパルススパッタを行った場合の動作特性について調べるとともに、マグネトロンスパッタ源を対向ターゲット配置した場合のデュアルスパッタ動作特性、対向ターゲット式スパッタ源とマグネトロンスパッタ源を組み合わせたハイブリッドデュアルスパッタの動作特性について検討した。その結果、(1)パルススパッタでは、200mA/cm^2程度の極めて大きな電流密度でも、安定にスパッタできること。(2)マグネトロンスパッタ源と対向ターゲット式スパッタ源では、スイッチング後、プラズマが定常状態に達するまでの振る舞いに大きな違いがあること(3)デュアルスパッタでは、各ターゲット電極の電位が、アース電位に対して時間的に変化しており、その結果、プラズマの電位も1周期の間に大きな正の電位になったり負の電位に変わること、さらに通常のスパッタ法に比べて10Vから20V程度、正の電位となる傾向にある。その結果、プラズマ中の荷電粒子が大きなエネルギーで基板を衝撃することになり、このことが、スパッタ成膜中の基板温度上昇の原因となっていることが明らかになった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-11-05

パルススパッタ法を用いた薄膜作製プロセスの検討(薄膜プロセス・材料, 一般)

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