ITO透明導電膜の低温成膜における水蒸気の効果

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概要

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我々は、運動エネルギー制御堆積法を用いたITO透明導電膜の低温作製を提案し、この方法を用いることで、50℃以下の低温基板上でも、3.5×10^-4Ωcmの低抵抗で表面平滑性に優れたITO膜が作製できることを報告した。しかしこの方法では(1)堆積速度が遅い、(2)成膜中の基板温度が通常のスパッタ法に比べて低いために、残留水蒸気の影響の有無を明らかにすることが求められていた。本研究では、上記堆積法を用いた基板温度50℃以下の低温成膜における水蒸気の導入効果を詳細に検討した。その結果、成膜時にスパッタ槽内への水蒸気の導入は、キャリア密度を増加させる効果は認められないこと、得られる膜のキャリア移動度は、導入無しの膜と比較して増加すること、これらの結果として膜の電気的特性は劣化することが分かった。これは水蒸気の導入によって、膜中にOの代わりにOHが取り込まれ、より移動度を減少させてしまうものと考えられた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-11-06

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