CPM2000-78 低電圧スパッタ法により成膜したITO薄膜の熱処理効果
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概要
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スパッタガスとしてAr、Kr、およびXeを用い、スパッタ電圧100Vで室温基板上にスパッタ堆積したITO薄膜(5wt%SnO_2-In_2O_3)は3×10^<-4>Ωcm前後の低抵抗率を示すが、この膜を空気中および真空中で熱処理して、その構造および電気的特性の変化を調べた。その結果、膜のホール移動度は、スパッタガスの種類に依らず、結晶化が進むにつれて、いずれも急激に減少する傾向を示した。さらにキャリア密度は低温での結晶化初期では真空中、大気中熱処理いずれでもやや増加するものの、さらに結晶化が進むと真空中熱処理では増加、大気中熱処理では急激に減少する傾向を示し、酸素の放出、取りこみによるキャリアの生成・消滅が起こつていることを示していた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-17
著者
-
星 陽一
東京工芸大学工学部
-
星 陽一
東京工芸大学工学部システム電子情報学科
-
大木 竜磨
東京工芸大学工学部電子情報工学科
-
大木 竜磨
東京工芸大学工学部
-
星 陽一
東京工芸大学 工学部 システム情報学科
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