対向ターゲット式スパッタ法によるITO透明導電膜の低温高速成膜
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概要
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低温で低抵抗のITO透明導電膜を得るためには、酸素負イオンなどに起因する高エネルギー粒子による膜表面の衝撃を極力減らすことが必要である。100V程度の低電圧でスパッタすることで、マグネトロンスパッタ法を用いても低抵抗のITO薄膜が50℃以下の低温で得られるものの、スパッタ電圧が低いために、高速成膜の観点からは制限があった。一方、対向ターゲット式スパッタ法は高電圧でスパッタしても、良好な低抵抗のITO透明導電膜が得られることに注目して、本研究ではこの対向ターゲット式スパッタ法を用いたITO薄膜の高速成膜法について検討した。その結果、容易に120nm/min程度の堆積速度が得られること、電気的特性や構造も堆積速度にほとんど依存せず、4×10^<-4>Ωcm以下の低抵抗率の膜が得られることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-02
著者
-
星 陽一
東京工芸大学工学部
-
加藤 博臣
Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University
-
加藤 博臣
Faculty Of Engineering Tokyo Polytechnic University
-
加藤 博臣
東京工芸大学工学部電子情報工学科
-
星 陽一
東京工芸大学工学部システム電子情報学科
-
星 陽一
東京工芸大学 工学部 システム情報学科
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