ITOスパッタ膜堆積中の基板入射熱量とその抑制法(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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耐熱性に劣るプラスチックフィルム基板や、有機薄膜基板上に良好なITOスパッタ膜を形成するためには、基板温度上昇の抑制可能なスパッタ法の開発が必要不可欠である。そこで本研究では、マグネトロンスパッタ法、および対向ターゲット式スパッタ法を用いてITOスパッタ膜堆積中における、基板への入射熱量を測定するとともに、基板温度上昇の要因を詳細に検討した。その結果、2次電子の基板衝撃が基板温度上昇の主な要因であること、スパッタ粒子が基板に入射して堆積するときに放出する熱量は小さいこと、また同じ膜堆積速度の条件で比較するとマグネトロンスパッタ法に比べ対向ターゲット式スパッタ法の方が基板入射熱量は半分程度と小さく、成膜中の基板温度上昇を抑制できることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-04
著者
-
星 陽一
東京工芸大学工学部
-
船津 健太郎
東京工芸大学工学部
-
加藤 博臣
Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University
-
加藤 博臣
Faculty Of Engineering Tokyo Polytechnic University
-
加藤 博臣
東京工芸大学工学部電子情報工学科
-
星 陽一
東京工芸大学工学部システム電子情報学科
-
星 陽一
東京工芸大学 工学部 システム情報学科
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