液体窒素温度製膜Niスパッタ薄膜の構造と磁気特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-09-01
著者
-
鈴木 英佐
東京工芸大学工学部
-
清水 英彦
新潟大 工
-
星 陽一
東京工芸大学工学部
-
清水 英彦
新潟大学
-
鈴木 英佐
東京工芸大学工学部電子工学科
-
清光 亘
東京工芸大学
-
蔵野 雄咲
東京工芸大学
-
星 陽一
東京工芸大学 工学部 システム情報学科
関連論文
- 室温にてスパッタ法により作製したAZO薄膜の特性の検討 (電子部品・材料)
- SBD法を用いたAZO薄膜作製における特性の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- 交互積層法によるMg-Ni薄膜の作製
- 反応性高速スパッタ法により作製したTiO_2薄膜の構造と光触媒特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- [工学部特別研究報告書]工学における立体画像解析システムの開発・応用に関する研究
- RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタ法による磁気記録媒体用Cr下地膜の微細構造制御法の検討
- 対向ターゲット式反応性スパッタ法によるCuAlO_2薄膜の作製と評価
- 低光子エネルギー及び低光電流における半導体薄膜のCPM特性測定装置
- 対向ターゲットスパッタプラズマ中のAr IとTi Iのレーザ分光計測
- 対向ターゲット式反応性スパッタ法によるCu-Al-O薄膜の作製と熱処理効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合におけるアモルファスCoFeBの結晶化過程
- Arイオン衝撃によるITO薄膜への効果の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 白金担持TiO2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 超伝導マグネトロンスパッタ装置によるMo/Si多層膜の製作とその特性
- 公開講演会の紹介および体験展示における磁気を使ったおもちゃ
- 2スパッタ源反応性スパッタ法によるTiO_2薄膜の高速堆積(薄膜プロセス・材料,一般)
- 基板バイアススパッタ法によるITO薄膜の検討(II)
- プラスチック基板上へのITO薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- スパッタ法によるAZO薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- プラズマアシスト電子ビーム蒸着法によるTiO_2薄膜の高速成膜
- スパッタビーム堆積法によるZnO薄膜の作製及び検討
- CS-6-2 スパッタ成膜中の基板温度上昇の抑制と低温での酸化促進法の検討(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- 有機EL素子用ITO薄膜の作製と検討(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 低電圧スパッタ法によるYBCO薄膜の作製及び評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
- パルススパッタ法を用いた薄膜作製プロセスの検討(薄膜プロセス・材料, 一般)
- イオンビームアシスト蒸着法によるTiO_2薄膜の高速成膜法の検討(電子部品・材料, 及び一般)
- C-6-9 ターゲット-基板間距離によるTiO_2薄膜の高速成膜法の検討(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- C-6-8 ITOスパッタ膜堆積中のシールドリングからの輻射熱による入射熱量(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- スパッタ法によるTiO_2薄膜の高速成膜法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- ITOスパッタ膜堆積時の基板加熱の抑制
- 原子層積層法による六方晶バリウムフェライト薄膜の作製
- 原子層積層法による六方晶バリウムフェライト薄膜の作製
- 原子層積層法による六方晶バリウムフェライト薄膜の作製
- S層R層交互積層膜の熱処理によるBaフェライト薄膜の作製
- 原子層成長法によるC軸配向Baフェライト薄膜の作製
- 原子層成長法によるC軸配向Baフェライト薄膜の構造と磁気特性
- ITO透明導電膜の低温成膜における水蒸気の効果(電子材料)
- ITOスパッタ膜堆積中の基板入射熱量とその抑制法(薄膜プロセス・材料,一般)
- スパッタ法によるフィルム基板上への透明導電膜の作製(電子部品・材料, 及び一般)
- ITO透明導電膜の低温成膜における水蒸気の効果
- 対向ターゲット式スパッタ法によるITO透明導電膜の低温高速成膜
- スパッタ法を用いた有機EL素子用低温ITO薄膜の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- 交互積層法によるMg-Cu薄膜の特性の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- Al下地膜上へのSrAl_2O_4薄膜の剥離抑制の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- Mg膜とNi膜の膜厚比を変化させたMg-Ni薄膜の光学的特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- スパッタ法により作製したMg-Ni薄膜の特性
- スパッタたい積後空気中熱処理によるSrAl_2O_4薄膜の特性(電子材料)
- ATR法を用いた金属スパッタ薄膜の特性評価
- 直列アクティブキャパシタンスを用いた電力系統制御
- FTS法にUBMS法を組み合わせたSrAl_2O_4:Eu,Dy薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- スパッタ法により作製したパーマロイ薄膜の機械的特性
- スパッタパーマロイ薄膜の付着力
- RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタ堆積後熱処理によるSrAl_2O_4薄膜の特性制御
- 室温にてスパッタ法により作製したAZO薄膜の特性の検討
- 垂直磁気記録用Baフェライト薄膜
- 鉄-コバルト多層膜の磁気特性
- 応用物性
- C-6-5 TiO_2薄膜の反応性スパッタにおける堆積速度減少の機構について(C-6.電子部品・材料)
- 低電圧スパッタ法によるFe薄膜の構造と磁気特性
- 偏光解析法を用いたAgスパッタ薄膜の初期成長過程の考察
- スパッタ法によるTiO_2薄膜堆積中の基板入射粒子の観察
- 低温成膜したITO薄膜の微細構造
- スパッタビーム堆積法によるITO薄膜の低温成膜
- 対向ターゲット式超高真空スパッタ装置を用いたAg薄膜初期成長過程の検討
- 6)原子層積層法による六方晶バリウムフェライト薄膜の作製(画像情報記録研究会)
- 酸素含有カーボンスパッタ薄膜の諸特性
- バリウムフェライト薄膜媒体の微粒子化
- バリウムフェライト薄膜媒体の微粒子化
- 原子層積層法によるc軸配向Baフェライト超薄膜の作製
- 原子層積層法によるc軸配向Baフェライト超薄膜の作製
- 原子層積層法によるBaフェライト薄膜の作製 : 下地層による結晶性の制御
- (111)配向ZnFe_2O_4下地膜上に堆積したBaM薄膜の微細構造
- (111)配向ZnFe_2O_4下地膜上に堆積したBaM薄膜の微細構造
- スパッタビーム堆積法による薄膜形成
- 液体窒素温度製膜Niスパッタ薄膜の構造と磁気特性
- スパッタ法による磁性薄膜堆積過程のシミュレーション
- スパッタガス圧によるバリウムフェライト薄膜の組成変化の機構
- 熱処理法によるアルミン酸ストロンチウム薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 熱処理法によるアルミン酸ストロンチウム薄膜の作製
- 対向ターゲット式スパッタ法により得られる薄膜の微細構造の計算機シミュレーション
- 対向ターゲット式スパッタ法によるDLC薄膜の作製
- スパッタ法による超高密度DLC薄膜の作製
- C-6-8 フレキシブル有機EL素子用ITO薄膜の検討(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 低電圧スパッタ法を用いた室温成膜AZO薄膜の特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 低電圧スパッタ法を用いた室温成膜AZO薄膜の特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 低電圧スパッタ法を用いた室温成膜AZO薄膜の特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 低電圧駆動フレキシブル有機EL素子のためのITO薄膜の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討 (電子部品・材料)
- プラスチック基板上に作製したITO膜及び有機EL素子の機械的特性 (電子部品・材料)
- 熱処理法によるSrAlO:Eu,Dy薄膜用下地膜の検討 (電子部品・材料)
- 複数端末機 : 群構成複数計算機システムにおける静的分散の解析
- 熱処理法によるSrAl_2O_4:Eu,Dy薄膜用下地膜の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- プラスチック基板上に作製したITO膜及び有機EL素子の機械的特性(薄膜プロセス・材料,一般)