以西 雅章 | 静岡大学工学部電気電子工学科

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概要

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• 以西 雅章

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 以西 雅章

  静岡大学工学研究科

• 以西 雅章

  静岡大学工学部

• 以西 雅章

  静岡大 工

• 山田 典史

  静岡大学大学院工学研究科

• 茅野 真也

  静岡大学工学研究科

• 宝珍 敬志

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 宝珍 敬志

  静岡大学工学部

• 倉地 雄史

  静岡大学工学研究科

• 山田 典史

  静岡大学工学研究科

• 伊藤 達也

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 星 陽一

  東京工芸大学工学部

• 伊藤 達也

  静岡大学大学院工学研究科

• 以西 雅章

  静岡大学大学院工学研究科

• 星 陽一

  東京工芸大学工学部システム情報学科

• 堀内 郁志

  静岡大学工学研究科

• 星 陽一

  東京工芸大学工学部システム電子情報学科

• 星 陽一

  東京工芸大学 工学部 システム情報学科

• 以西 雅章

  静岡大学大学院 工学研究科

• 細川 貴之

  静岡大学工学研究科

• 中村 郁太

  静岡大学大学院工学研究科

• 加藤 卓

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 中村 光宏

  静岡大学工学研究科

• 武内 俊憲

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 関川 智士

  静岡大学工学部

• 山口 直哉

  静岡大学工学部

• 板倉 功周

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 板倉 巧周

  静岡大学工学部

• 境 哲也

  東京工芸大学工学部

• 遠藤 立弥

  静岡大学大学院工学研究科

• 境 哲也

  東京工芸大学工学部システム情報学科

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著作論文

• RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 白金担持TiO2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga2O3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 (シリコン材料・デバイス)
• スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 (電子部品・材料)
• スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 (電子デバイス)
• Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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