ディスプレイ用光源・デバイス総論(<特集>ディスプレイ用光源及びデバイスの最新技術)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人照明学会の論文
• 2003-01-01

著者

• 中西 洋一郎

  静岡大学電子工学研究所

• 高木 将実

  ハリソン東芝ライティング(株)

関連論文

• 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
• 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
• この40年のディスプレイ技術の変遷と将来展望について(電子ディスプレイ,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
• 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
• クエン酸ゲル法を用いて合成した近紫外線励起用赤色蛍光体La_2O_2S:Euの発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
• AS-3-6 広色域実現を目指した蛍光体の研究(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
• クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 液体状態のホール効果測定と磁界による不要信号
• 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
• 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性
• 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
• EID2000-11 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
• 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
• 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
• SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果
• 均質沈殿法によって合成したY_2O_3:Eu赤色蛍光体のモフォロジー及び発光特性に対する焼結の効果
• 燃焼法による蛍光体の合成
• Y_2O_2S : Eu^赤色微粒子蛍光体の合成
• エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
• Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
• Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• Si基板上ZnS薄膜の酸化によるエピタキシャルZnO薄膜の形成と励起子発光
• Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
• Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
• フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
• 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
• 18-2 電子ビーム蒸着法により作製したZnO薄膜の発光特性
• 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
• 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
• 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
• SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果
• Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
• エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
• エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
• Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
• 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
• 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
• SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
• SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4薄膜蛍光体の発光特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
• 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
• 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 22-1 a-SiC : H/a-Si : Hヘテロ接合を用いた光電流増倍型フォトセンサーと新しいスイッチング素子
• クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製
• ゾル-ゲル法によるZnMgO/ZnO構造粒子の作製と発光特性の評価(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
• 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
• 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
• 青色発光CaS:Cu,F薄膜の発光特性
• 18-3 CaS : Cu, F薄膜の構造及び発光特性
• 青色発光CaS : Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
• 青色発光CaS:Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
• 4-3 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性
• 多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
• 多元蒸着により作製したSrSe:Ce薄膜の構造及び発光特性 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
• 燃焼法による蛍光体の合成
• 水素ラジカル励起MOCVD法による Si 上への ZnSe の成長
• Zn添加酸化物蛍光体の作製と低速電子線励起発光特性
• Sr/S組成の制御によるSrS:Ce薄膜EL素子の高発光効率化
• 共振器構造を用いた蛍光体の発光特性 : レーザ蛍光体の実現を目指して
• 共振器構造を用いた蛍光体の発光特性 : レーザ蛍光体の実現を目指して(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
• 低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
• 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
• SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
• SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
• ゾル-ゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光特性
• 赤色発光SrTiO_3:PrAl蛍光体におけるAl添加効果
• ゾルーゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光
• 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性
• フィールドエミッションランプ用緑色蛍光体の開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• 高品質照明を実現する新型真空平面ランプの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
• 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性 (電子ディスプレイ)
• クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御
• クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性
• アルキルシラン単一原料を用いた原子状水素励起化学気相堆積
• 希土類付活SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
• 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク