喜多尾 道火児 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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喜多尾 道火児
静岡大学電子工学研究所
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喜多尾 道火児
静岡大 電子工研
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山田 祥二
静岡大学電子工学研究所
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山田 祥二
静岡理工科大学電子工学科
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浦部 和雄
静岡大学電子工学研究所
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喜多尾 道火児
静大電子研
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山田 祥二
静大電子研
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平田 和人
日本鉱業(株)
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高野 泰
静岡大学大学院電子科学研究科
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平田 和人
静大電子科研
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井沢 邦邦之
静岡大学電子工学研究所
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井澤 邦之
フィガロ技研(株)
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蛭田 陽一
(株)東芝総合研究所
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山本 徳士
静岡大学電子工学研究所
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巻淵 正樹
静岡大学電子工学研究所
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中村 彰男
静岡大学大学院電子科学研究科
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立岡 浩一
静岡大学工業短期大学部電気工学科
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野口 正人
静岡大学電子工学研究所
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後藤 周史
静大電子研
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山梨 泰
静岡大学電子工学研究所
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高野 泰
静大電子研
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吉井 恭一
静大電子研
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千田 昌伸
豊田合成株式会社
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朝倉 憲夫
静大電子研
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朝倉 憲夫
静岡大学電子工学研究所
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小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
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山本 達夫
静岡大学電子工学研究所
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中村 恒夫
シャープ(株)
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吉岡 達男
松下電器産業(株)液晶開発センター
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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藤波 達雄
静岡大学工学部工業化学科
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千田 昌伸
豊田合成株式会社オプトE事業部第1技術部
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立岡 浩一
静岡大学電子科学研究科
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蛭田 陽一
(株)東芝 半導体事業本部 半導体組立技術部 組立技術開発担当
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中村 恒夫
シャープ株式会社
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西本 敏夫
松下電子工業株式会社
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赤尾 英俊
静大電子研
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アクラム ホセイン
静岡大学大学院電子科学研究科
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石川 知則
静大電子研
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石川 知則
静岡大学大学院電子科学研究科
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赤尾 英俊
静岡大学電子工学研究所
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桑野 三郎
静岡県静岡工業技術センター 現 : 常葉学園短期大学
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小松 剛
静岡県静岡工業技術センター
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山田 祥二
静理工大電子
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佐藤 健二
静岡大学大学院電子科学研究科
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千田 昌伸
静大電子研
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蛭田 陽一
静岡大学大学院電子科学研究科
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喜多尾 道火児
静岡大学大学院電子科学研究科
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山田 祥二
静岡大学大学院電子科学研究科
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Komatsu Takeshi
Industrial Research Institute Of Shizuoka Prefecture
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平田 和人
静岡大学大学院電子科学研究科
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吉岡 達男
松下電器産業(株)
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藤波 達雄
静岡大学工学部材料精密化学科
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荒木 文章
静大電子研
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桑野 三郎
静岡県静岡工技セ
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山本 徳士
(株)デンソー
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大島 宣浩
静岡大学電子工学研究所
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荒木 文章
静岡大学電子工学研究所
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川内 敏央
静岡大学電子工学研究所
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西本 敏夫
松下電子工業(株)
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吉井 恭一
(株)神戸製鋼所
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立岡 浩一
静岡大学電子工学研究所
-
高野 泰
静岡大学大学院工学研究科
著作論文
- エレクトロクロミック(EC)膜の水素導入スパッタ法による作製とその性質
- エレクトロクミック(EC)膜の水素導入スパッタ法による作製とその性質
- 銀イオンセンサとしての非晶質As_2Se_3:Ag電極
- 酸化ニッケルEC膜の電気化学測定
- 酸化ニッケルEC膜の電気化学測定
- 非晶質As_2Se_3の電気および光学的性質への銀添加の影響
- 酸化タングステン・スパッタ膜の着色効率とエージング
- ステアリン酸カドミウムLB膜の導電性欠陥
- アモルファスWO_3薄膜の光学吸収帯
- エレクトロクロミックWO_3スパッタ膜の赤外吸収スペクトル
- スパッタリング雰囲気への水素導入による酸化ニッケル膜の作製とエレクトロクロミック特性
- 25a-ZG-13 DSC分析によるアモルファスAs_2Se_3の結晶化
- Ag及びCu添加アモルファスAs_2Se_3の光電流長時間減衰の分散型伝導
- DSC熱分析によるアモルファスAs_2Se_3:Agの結晶化過程
- ステアリン酸単分子膜の表面圧に対する下相水の影響
- アモルファスAs_2Se_3:Tlの電気的・光学的性質
- アモルファスAs_2Se_3:Agの長時間光電流減衰特性
- As_2Se_3ガラスの交流導電率へのMn添加効果
- 酸化ニッケル・スパッタ膜の作製とエレクトロクロミック特性
- 30a-A-12 非晶質aS_2Se_3:Tlの電気伝導
- As_2Se_3単結晶のフォトルミネッセンス
- 2p-F-6 非晶質As_2Se_3の交流導電率へのMn添加の影響
- As_2Se_3ガラスの交流導電率への不純物添加効果
- WO_3/MoO_3混合膜の吸収スペクトル
- 1p-PS-9 非晶質As_SeTe_xの熱起電力
- アモルファス酸化タングステンの吸収帯の温度変調分光
- 非晶質As_2Se_3の交流電気伝導に対するCu添加効果
- アニオン注入による酸化ニッケル膜のエレクトロクロミック現象
- 27a-SB-28 非晶質As_2Se_3の交流導電率への銀添加効果
- 非晶質As_40Se_60Ag_xにおける交流電気伝導
- 2p-B-7 a-As_Se_Ag_xにおける交流導電率の温度依存性 II
- 2p-B-6 a-As_Se_Ag_xにおける交流導電率の温度依存
- 2p-W-7 As_2Se_3;Ag_xにおける交流電気伝導
- アモルファス酸化タングステン膜における着色領域
- スパッタ法により作製した酸化ニッケル膜のアニオン注入によるEC着色現象
- スパッタリング雰囲気への水素導入による酸化ニッケル膜の作製とエレクトロクロミック特性
- 酸化タングステンスパッタ膜のエレクトロクロミズム
- WO_3膜のエレクトロクロミック特性に対する結晶化の効果
- 固体電解質Ta_2O_5の水素導入スパッタ膜の作製とECセルへの応用
- 酸化タングステンEC膜における残留電荷と赤外吸収
- スパッタ法によるTiO_2膜の作製とEC特性
- 3-21 As_2Se_3材料の性質
- 光吸収スペクトルによる非晶質酸化タングステン膜の評価
- 5)As_2Se_3光導電材料(第13回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- アモルファスAs_40Se_60-xTe_xのゼーベック効果