山田 祥二 | 静岡理工科大学電子工学科
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概要
関連著者
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山田 祥二
静岡理工科大学電子工学科
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喜多尾 道火児
静岡大 電子工研
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山田 祥二
静岡大学電子工学研究所
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喜多尾 道火児
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山田 祥二
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喜多尾 道火児
静大電子研
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桑原 弘
静岡大学工業短期大学部
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平田 和人
日本鉱業(株)
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石川 知則
静大電子研
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高野 泰
静岡大学大学院電子科学研究科
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朝倉 憲夫
静大電子研
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桑原 弘
静大電子研
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平田 和人
静大電子科研
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赤尾 英俊
静大電子研
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浦部 和雄
静岡大学電子工学研究所
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望月 徹
東京芝浦電気株式会社
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高野 泰
静大電子研
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蛭田 陽一
(株)東芝総合研究所
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荒木 文章
静大電子研
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喜多尾 道火児
静岡大電子研
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山田 祥二
静岡大電子研
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池田 博昭
静大電子研
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塩川 鎮雄
日本電信電話公社
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長谷川 久也
静大電子研
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後藤 周史
静大電子研
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山梨 泰
静岡大学電子工学研究所
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吉井 恭一
静大電子研
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喜多尾道 火児
静大電子研
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千田 昌伸
豊田合成株式会社
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望月 徹
静大電子研
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朝倉 憲夫
静岡大学電子工学研究所
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シャープ(株)
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吉岡 達男
松下電器産業(株)液晶開発センター
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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桑原 弘
静岡大学工学部
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中村 彰男
静岡大学大学院電子科学研究科
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千田 昌伸
豊田合成株式会社オプトE事業部第1技術部
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尾関 雅志
富士通株式会社
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蛭田 陽一
(株)東芝 半導体事業本部 半導体組立技術部 組立技術開発担当
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中村 恒夫
シャープ株式会社
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立岡 浩一
静岡大学工業短期大学部電気工学科
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西本 敏夫
松下電子工業株式会社
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アクラム ホセイン
静岡大学大学院電子科学研究科
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石川 知則
静岡大学大学院電子科学研究科
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赤尾 英俊
静岡大学電子工学研究所
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赤尾 英俊
カシオ計算機(株)
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石川 知則
(株)富士通研究所
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井沢 邦邦之
静岡大学電子工学研究所
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井澤 邦之
フィガロ技研(株)
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桑野 三郎
静岡県静岡工業技術センター 現 : 常葉学園短期大学
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山田 祥二
静大 電子研
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恒川 助芳
(株)日立製作所中央研究所
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塩川 鎮雄
静大電子研
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須志田 昭一
静大電子研
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菅 博文
三菱電機株式会社
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池田 博昭
三菱電機株式会社
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長谷川 久也
シャープ株式会社
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小松 剛
静岡県静岡工業技術センター
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山田 祥二
静理工大電子
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佐藤 健二
静岡大学大学院電子科学研究科
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千田 昌伸
静大電子研
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蛭田 陽一
静岡大学大学院電子科学研究科
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喜多尾 道火児
静岡大学大学院電子科学研究科
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山田 祥二
静岡大学大学院電子科学研究科
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Komatsu Takeshi
Industrial Research Institute Of Shizuoka Prefecture
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喜多尾 道火児
静大工電子研
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平田 和人
静岡大学大学院電子科学研究科
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喜多尾道 火児
電子研
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山田 祥二
電子研
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恒川 助芳
(株)日立製作所 熱器ライティング事業部
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吉岡 達男
松下電器産業(株)
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藤岡 督也
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桑野 三郎
静岡県静岡工技セ
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清水 勝
静大電子研
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荒木 文章
松下電器産業株式会社
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荒木 文章
静岡大学電子工学研究所
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西本 敏夫
松下電子工業(株)
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大隈 安次
静大電子研
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谷内 利昭
静大電子研
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吉井 恭一
(株)神戸製鋼所
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堀池 樹
静大電子研
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高野 泰
静岡大学大学院工学研究科
著作論文
- 電流制御結晶成長法によるIn_xGa_1-xSb結晶の組成変調
- 回転引上げ結晶中の凹型ファセット成長
- GaSb回転引上げ結晶の微視的成長速度
- 電流制御によるIII-V化合物半導体の液相エピタキシャル成長法(第二報)
- 電流制御によるIII-V化合物半導体の液相エピタキシャル成長法(第一報)
- β-SiCの結晶表面の極性とエッチング
- Si融液からのβ-SiCの結晶成長
- Travelling Solvent MethodによるSiC単結晶の成長速度
- 1p-B-1 アモルファスAs_2Se_3へのCu添加効果
- 非晶質As_2Se_3の電気および光学的性質への銀添加の影響
- アモルファスAs_2Se_3:Cuの電気的・光学的性質
- 31a GE-1 非晶質As_2Se_3銀添加効果
- 酸化タングステン・スパッタ膜の着色効率とエージング
- ステアリン酸カドミウムLB膜の導電性欠陥
- アモルファスWO_3薄膜の光学吸収帯
- β-SiCの螢光の減衰特性と時間分解スペクトル
- β-SiC内のIII族発光中心
- ボロンを添加したβ-SiCのルミネッセンス(II)
- 24p-H-16 β-SiCのルミネッセンス IV
- ボロンを添加したβ-SiCのルミネッセンス
- 11p-Q-13 β-SiCのルミネッセンス III
- 1p-S-12 β-SiCのルミネッセンス II
- 3a-P-14 β-SiCのルミネッセンス(I)
- SiC単結晶の低温気相成長(第1報)
- 6a-L-1 6H-SiCの基礎吸収端
- エレクトロクロミックWO_3スパッタ膜の赤外吸収スペクトル
- 12p-R-10 アモルファスAs_2Se_3の光導電効果の温度特性
- アモルファスAs_2Se_3の光吸収と光導電効果
- スパッタリング雰囲気への水素導入による酸化ニッケル膜の作製とエレクトロクロミック特性
- 25a-ZG-13 DSC分析によるアモルファスAs_2Se_3の結晶化
- Ag及びCu添加アモルファスAs_2Se_3の光電流長時間減衰の分散型伝導
- DSC熱分析によるアモルファスAs_2Se_3:Agの結晶化過程
- ステアリン酸単分子膜の表面圧に対する下相水の影響
- アモルファスAs_2Se_3:Tlの電気的・光学的性質
- アモルファスAs_2Se_3:Agの長時間光電流減衰特性
- As_2Se_3ガラスの交流導電率へのMn添加効果
- 酸化ニッケル・スパッタ膜の作製とエレクトロクロミック特性
- 30a-A-12 非晶質aS_2Se_3:Tlの電気伝導
- As_2Se_3単結晶のフォトルミネッセンス
- 2p-F-6 非晶質As_2Se_3の交流導電率へのMn添加の影響
- As_2Se_3ガラスの交流導電率への不純物添加効果
- WO_3/MoO_3混合膜の吸収スペクトル
- 1p-PS-9 非晶質As_SeTe_xの熱起電力
- アモルファス酸化タングステンの吸収帯の温度変調分光
- 非晶質As_2Se_3の交流電気伝導に対するCu添加効果
- 27a-SB-28 非晶質As_2Se_3の交流導電率への銀添加効果
- 非晶質As_40Se_60Ag_xにおける交流電気伝導
- 2p-B-7 a-As_Se_Ag_xにおける交流導電率の温度依存性 II
- 2p-B-6 a-As_Se_Ag_xにおける交流導電率の温度依存
- 4p-NL-4 非晶質As_2Se_3:Agの交流電気伝導II
- 2p-W-7 As_2Se_3;Ag_xにおける交流電気伝導
- 半導体材料の性質 : (第2回)(半導体物性とデバイス)
- 13a-E-17 Cu添加As_2Se_3ガラスの交流伝導
- アモルファス酸化タングステン膜における着色領域
- エレクトロクロミック現象とその応用
- 11a-H-9 アモルファスAs_2Se_3の光学的性質 II
- 11a-H-8 アモルファスAs_2Se_3の光学的性質 I
- 6a-LT-7 As_2Se_3単結晶の直流導電率 II
- 無定型As_2Se_3の電気伝導 : 半導体 (化合物, その他)
- 無定形As_2Se_3の導電率の周波数特性
- 3-21 As_2Se_3材料の性質
- 1a-N-3 無定形As_2Se_3の交流光電導
- 非晶質As_2Se_3:Agの電気伝導
- 5)As_2Se_3光導電材料(第13回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- As_2Se_3の単結晶の作成 : 半導体 (化合物, その他)
- 2p-H-2 As_2Se_3の相変化
- 5p-K-6 As_2Se_3単結晶の直流導電率
- アモルファスAs_40Se_60-xTe_xのゼーベック効果
- 28a-D-8 As_2Se_3単結晶の熱起電力
- 6a-LT-8 非晶質As_2Se_3の銀不純物効果
- Ag_x(As_2Se_3)_1-xガラスにおける銀イオン伝導度の評価
- 11p-R-7 高濃度の銀を含むa-As_2Se_3の電気伝導
- 23p-G-6 アモルファスAs_2Se_3: Agの電気伝導
- 非晶質半導体の電気的性質
- 4p-H-5 非晶質半導体の電気的および光学的性質
- 無定形As_2Se_3の導電率の周波数特性(第2報)
- 1) 無定形As_2Se_3の電気伝導(第34回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 1a-N-4 無定形As_2Se_3の高周波電気伝導 II
- 9p-B-2 無定形As_2Se_3の高周波電気伝導
- 3p-TC-4 無定形As_2Se_3の電気伝導 II