3p-TC-4 無定形As_2Se_3の電気伝導 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1970-04-01
著者
関連論文
- エレクトロクロミック(EC)膜の水素導入スパッタ法による作製とその性質
- エレクトロクミック(EC)膜の水素導入スパッタ法による作製とその性質
- 銀イオンセンサとしての非晶質As_2Se_3:Ag電極
- 電流制御結晶成長法によるIn_xGa_1-xSb結晶の組成変調
- 回転引上げ結晶中の凹型ファセット成長
- GaSb回転引上げ結晶の微視的成長速度
- 電流制御によるIII-V化合物半導体の液相エピタキシャル成長法(第二報)
- 電流制御によるIII-V化合物半導体の液相エピタキシャル成長法(第一報)
- β-SiCの結晶表面の極性とエッチング
- Si融液からのβ-SiCの結晶成長
- Travelling Solvent MethodによるSiC単結晶の成長速度
- 酸化ニッケルEC膜の電気化学測定
- 1p-B-1 アモルファスAs_2Se_3へのCu添加効果
- 非晶質As_2Se_3の電気および光学的性質への銀添加の影響
- アモルファスAs_2Se_3:Cuの電気的・光学的性質
- 31a GE-1 非晶質As_2Se_3銀添加効果
- 酸化タングステン・スパッタ膜の着色効率とエージング
- ステアリン酸カドミウムLB膜の導電性欠陥
- アモルファスWO_3薄膜の光学吸収帯
- β-SiCの螢光の減衰特性と時間分解スペクトル
- β-SiC内のIII族発光中心
- ボロンを添加したβ-SiCのルミネッセンス(II)
- 24p-H-16 β-SiCのルミネッセンス IV
- ボロンを添加したβ-SiCのルミネッセンス
- 11p-Q-13 β-SiCのルミネッセンス III
- 1p-S-12 β-SiCのルミネッセンス II
- 3a-P-14 β-SiCのルミネッセンス(I)
- SiC単結晶の低温気相成長(第1報)
- 6a-L-1 6H-SiCの基礎吸収端
- エレクトロクロミックWO_3スパッタ膜の赤外吸収スペクトル
- 12p-R-10 アモルファスAs_2Se_3の光導電効果の温度特性
- アモルファスAs_2Se_3の光吸収と光導電効果
- スパッタリング雰囲気への水素導入による酸化ニッケル膜の作製とエレクトロクロミック特性
- 25a-ZG-13 DSC分析によるアモルファスAs_2Se_3の結晶化
- Ag及びCu添加アモルファスAs_2Se_3の光電流長時間減衰の分散型伝導
- DSC熱分析によるアモルファスAs_2Se_3:Agの結晶化過程
- ステアリン酸単分子膜の表面圧に対する下相水の影響
- アモルファスAs_2Se_3:Tlの電気的・光学的性質
- アモルファスAs_2Se_3:Agの長時間光電流減衰特性
- As_2Se_3ガラスの交流導電率へのMn添加効果
- 酸化ニッケル・スパッタ膜の作製とエレクトロクロミック特性
- 30a-A-12 非晶質aS_2Se_3:Tlの電気伝導
- As_2Se_3単結晶のフォトルミネッセンス
- 2p-F-6 非晶質As_2Se_3の交流導電率へのMn添加の影響
- As_2Se_3ガラスの交流導電率への不純物添加効果
- WO_3/MoO_3混合膜の吸収スペクトル
- 1p-PS-9 非晶質As_SeTe_xの熱起電力
- アモルファス酸化タングステンの吸収帯の温度変調分光
- 非晶質As_2Se_3の交流電気伝導に対するCu添加効果
- アニオン注入による酸化ニッケル膜のエレクトロクロミック現象
- 27a-SB-28 非晶質As_2Se_3の交流導電率への銀添加効果
- 非晶質As_40Se_60Ag_xにおける交流電気伝導
- 2p-B-7 a-As_Se_Ag_xにおける交流導電率の温度依存性 II
- 2p-B-6 a-As_Se_Ag_xにおける交流導電率の温度依存
- 4p-NL-4 非晶質As_2Se_3:Agの交流電気伝導II
- 2p-W-7 As_2Se_3;Ag_xにおける交流電気伝導
- 半導体材料の性質 : (第2回)(半導体物性とデバイス)
- 13a-E-17 Cu添加As_2Se_3ガラスの交流伝導
- アモルファス酸化タングステン膜における着色領域
- スパッタ法により作製した酸化ニッケル膜のアニオン注入によるEC着色現象
- エレクトロクロミック現象とその応用
- 11a-H-9 アモルファスAs_2Se_3の光学的性質 II
- 11a-H-8 アモルファスAs_2Se_3の光学的性質 I
- WO_3膜のエレクトロクロミック特性に対する結晶化の効果
- 固体電解質Ta_2O_5の水素導入スパッタ膜の作製とECセルへの応用
- 酸化タングステンEC膜における残留電荷と赤外吸収
- スパッタ法によるTiO_2膜の作製とEC特性
- 6a-LT-7 As_2Se_3単結晶の直流導電率 II
- 無定型As_2Se_3の電気伝導 : 半導体 (化合物, その他)
- 無定形As_2Se_3の導電率の周波数特性
- 3-21 As_2Se_3材料の性質
- 1a-N-3 無定形As_2Se_3の交流光電導
- 非晶質As_2Se_3:Agの電気伝導
- 5)As_2Se_3光導電材料(第13回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- As_2Se_3の単結晶の作成 : 半導体 (化合物, その他)
- 2p-H-2 As_2Se_3の相変化
- 5p-K-6 As_2Se_3単結晶の直流導電率
- アモルファスAs_40Se_60-xTe_xのゼーベック効果
- 28a-D-8 As_2Se_3単結晶の熱起電力
- 6a-LT-8 非晶質As_2Se_3の銀不純物効果
- Ag_x(As_2Se_3)_1-xガラスにおける銀イオン伝導度の評価
- 11p-R-7 高濃度の銀を含むa-As_2Se_3の電気伝導
- 23p-G-6 アモルファスAs_2Se_3: Agの電気伝導
- 非晶質半導体の電気的性質
- 4p-H-5 非晶質半導体の電気的および光学的性質
- 無定形As_2Se_3の導電率の周波数特性(第2報)
- 1) 無定形As_2Se_3の電気伝導(第34回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 1a-N-4 無定形As_2Se_3の高周波電気伝導 II
- 9p-B-2 無定形As_2Se_3の高周波電気伝導
- 3p-TC-4 無定形As_2Se_3の電気伝導 II