8pPSA-2 希薄磁性半導体Ga_<1-x>Mn_xNの強磁場磁化測定(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2002-08-13
著者
-
菅 健一
阪大極限セ
-
金道 浩一
阪大極限セ
-
堀 秀信
北陸先端大
-
佐々木 敬彦
千葉大VBL
-
佐々木 敬彦
北陸先端大
-
園田 早紀
(株)アルバック
-
清水 三郎
(株)アルバック
-
清水 三郎
(株)アルバック 技術開発部第一研究部
-
山本 良之
北陸先端大
-
Ikegawa K.
JAIST
関連論文
- 21pPSB-9 Sn ドープ InSb 薄膜強磁場 Shubnikov-de Haas 効果 II
- 29aZK-12 Sn ドープ InSb 薄膜の強磁場 Shubnikov-de Haas 効果
- 22pPSA-79 CDW物質η-Mo_4O_の特異な量子ホール効果と磁場誘起Shubnikov-de Haas振動(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
- 26p-PSA-35 近藤絶縁体YbB_における強磁場磁気抵抗の温度依存性
- 30a-W-4 近藤半導体YbB_単結晶の強磁場抵抗と磁化の異方性
- 23pSE-5 UPdInの高圧下、強磁場磁化過程
- Tb-Doped Glassの強磁場磁化過程とファラデー効果
- 2p-Z-2 Sm_Gd_xCuO_4の強磁場磁性
- Ce_La_Pの強磁場磁化測定
- 高感度帯磁率測定装置によるD_2Oの反磁性測定
- 31p-YG-5 高感度帯磁率測定装置による水の反磁性測定
- 29a-YL-2 U_XLa_Ru_2Si_2の強磁場ESR
- 29a-YN-10 Ce_xLa_Pの強磁場磁性
- 13a-W-9 La_2CuO_4の強磁場ESR
- 13a-W-7 URu_2Si_2の強磁場ESRIII
- 29p-B-9 URu_2Si_2の強磁場ESR I
- 27a-L-4 URu_2Si_2の強磁場ESR
- 27a-L-3 Gd_2CuO_4のESR
- 26p-L-5 Cr-dimerのESR
- 26p-L-3 NENP系物質の強磁場ESR
- ハルデン状態における素励起
- 29p-APS-60 DyCu_2の強磁場下におけるIsing-axis転換
- 25a-F-1 Nd_2CuO_4のAFMR
- 28aXL-11 強磁性相互作用を含むデルタ鎖モデル物質の強磁場磁化過程とESR(量子スピン系(一次元))(領域3)
- 12pPSA-2 室温強磁性 Mn ドープ GaN の研究(領域 4)
- 28a-YG-8 (Sm_xGd_)_2CuO_4のESR II
- 3p-H-4 (Sm_xGd_)_2CuO_4のESR
- 24p-F-4 CsMnBr_3のAFMR
- 一次元細孔中の酸素分子の磁性
- 一次元細孔中の酸素の磁性
- 30p-PSB-34 Ce_3Pt_3Bi_4及びCe_3Au_3Bi_4の物性
- 28a-YF-2 LaCoO_3の磁化と電子状態
- 3p-Z-8 U_2T_2Snの強磁場磁化 (T=遷移金属元素)
- 3p-Z-7 U_2T_2Inの強磁場磁化 (T=遷移金属)
- 30aYK-5 近藤半導体YbB_における強磁場磁気抵抗の温度依存性
- 22pPSA-7 Yb_Lu_xB_における強磁場磁気抵抗の温度依存性
- 24aZH-7 近藤半導体YbB_のLu希釈効果 : パルス強磁場による磁化と磁気抵抗
- 24pH-2 近藤絶縁体YbB_の強磁場における異方性
- 24pH-1 Yb_Lu_xB_の強磁場磁化と磁気抵抗
- 30a-W-2 CeRhSbの強磁場磁化とホール抵抗
- 5a-YF-3 CeRhSbの磁気抵抗とホール効果
- 24aE-11 Cs_2TCNQ_3および(Nme_4)_2TCNQ_3のプロトンNMR
- 31a-YN-1 TbNiSn, DyNiSn単結晶の磁気抵抗
- 31pXG-5 スピン 1/2 カゴメ格子反強磁性体の磁化過程
- 28a-YE-1 dilute-UAl_2の物性
- 14pPSB-27 パルス強磁場を用いたドハース・ファンアルフェン効果の装置開発(f-電子系, 領域 8)
- 12pWG-1 量子スピン系 KCuCl_3 の強磁場磁歪測定(量子スピン系 : 一次元及びクラスター, 領域 3)
- 12aPS-64 TmMn_6Sn_Ga_x における Ga ドープ量による磁化容易軸の変化(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
- 27aPS-111 パルス・ドハース法の開発(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- 29aPS-110 阪大マグネットを用いたパルス・ドハース法の開発
- 29a-YL-1 ErRu_2Si_2のESR
- 20pYD-3 単結晶YbPの強磁場磁化過程
- 28p-P-12 一次元磁性体CsCoCl_3・2H_2Oの強磁場磁化過程
- 8p-YF-5 U_Fe_4Si_のスピングラスと強磁場磁化
- 3a-B-10 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4のESRIII
- 30a-K-1 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4のESR II
- 5p-PSA-17 S=1反強磁性ダイマーの磁性
- 有機磁性体AATMPのESR
- 有機磁性体AATMPの磁気測定
- DyCuの強磁場磁化過程
- 29a-PS-60 反強磁性単結晶基板に蒸着した磁性金属薄膜の磁性と伝導特性
- 3a-H-9 RERu_2Si_2(RE=Tb, Dy, Ho, Er)のESR
- 19aPS-50 U化合物の強磁場磁化
- 24pE-3 Sr_3Fe_2 O_7の強磁場下における磁化測定
- 31a-P-3 CeNiSnの強磁場磁化と磁気抵抗効果
- CeNiSnの強磁場磁性とギャップ状態II
- 29a-YE-3 UPt_2Inの磁化過程と磁気抵抗
- 3p-Z-9 UT_2B_2C(T=Rh, Ni)の強磁場磁化
- 27aPS-106 S=1/2一次元反強磁性鎖Cu-pyrimidineの強磁場磁化過程(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- 21aTC-8 交替磁場が存在する 1 次元反強磁性鎖 Cu-pyrimidine の強磁場磁化
- 29p-M-1 超伝導体の素励起(Nambu-Goldstone Mode)とプラズマギャップの機構
- 29a-YE-5 USbの強磁場磁化過程
- 29aPS-74 DyAg の磁気相図
- 29aPS-74 DyAg の磁気相図
- 30a-PS-94 パルス強磁場下におけるマルテンサイト変態の時間依存性
- 31p-PSA-49 Mn-Rhの磁性
- ハルデン物質の強磁場磁化 : 単結晶と粉末の比較
- 31a-TG-6 NINOの強磁場ESR
- 29pXD-2 重い電子系超伝導体CePt_3Siの単結晶育成と磁性(重い電子糸超伝導(Ce系))(領域8)
- 28pPSA-22 PrRh_3B_2の単結晶育成と磁性、ドハース・ファンアルフェン効果(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
- 28pPSA-15 Ce_3Sn_7とCe_2Sn_5における熱膨張と結晶場効果(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
- 31a-YE-11 U(Ru_Rh_x)_2Si_2の多段階磁気相転移
- 27a-L-2 Li_2CuO_2の強磁場ESR
- 27p-ZJ-3 強磁場ESRと量子効果
- 4p-B-2 ハルデン状態のESR
- 17pYH-9 GaN:Mn膜の高温磁化過程とその電気伝導
- 17pYH-7 NH_3-MBEによるGaMnN膜の成長
- 27aYS-9 磁性不純物をドープしたBi_2Te_3の磁気特性
- 25aL-4 層状半導体Bi_Sn_xTe_3における量子ホール効果II
- 12aPS-52 BaVS_3 のスピンギャップと金属-絶縁体転移(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
- 21aPS-8 BaVS_3 の強磁場下における輸送特性
- 12aPS-63 単結晶 ErMn_6Sn_6 の強磁場磁化測定(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
- 27aPS-110 ホール素子によるパルス強磁場下磁化測定(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- 24pPSA-70 ホール素子を用いたパルス強磁場中磁化測定法の開発(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 7aWB-11 希薄磁性半導体GaN:Mn薄膜の磁気共鳴(電子スピン共鳴(量子スピン系,磁気共鳴一般),領域3)
- 8pPSA-2 希薄磁性半導体Ga_Mn_xNの強磁場磁化測定(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
- 25aXP-10 稀薄磁性半導体GaN:Mnの磁性と伝導(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 25pPSA-10 室温強磁性希薄磁性半導体GaN:Mnの磁気特性(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
- 25aXP-9 NH_3-MBE成長GaN:Mn膜の磁気的特性、結晶学的特性(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))