21pPSB-9 Sn ドープ InSb 薄膜強磁場 Shubnikov-de Haas 効果 II

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 岡本 敦

  旭化成エレクトロニクス

• 柴崎 一郎

  旭化成

• 石田 修一

  山口東理大

• 菅 健一

  阪大極限セ

• 金道 浩一

  阪大極限セ

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