28pPSB-11 SnドープInSb/GaAs(100)薄膜の面内磁場弱反局在のスピン : 軌道相互作用とドーピング効果(領域4ポスターセッション)(領域4)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-03-03

著者

• 岡本 敦

  旭化成エレクトロニクス

• 柴崎 一郎

  旭化成

• 石田 修一

  山口東理大

• 武田 圭生

  室蘭工大

• 武田 圭生

  山口東理大

• 武田 圭生

  室蘭工大工

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