23aWH-13 InAs/AlGaSbAs量子井戸の斜め磁場下でのランダウ準位(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 柴崎 一郎

  旭化成

• 石田 修一

  山口東理大

• 音 賢一

  千葉大理

• 吉田 高英

  千葉大院理

• 吉田 高英

  千葉大理

• 石原 知幸

  千葉大理

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