21pHV-10 単層グラフェンにおける電荷中性点付近の磁気抵抗(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2010-03-01

著者

• 音 賢一

  千葉大院理

• 吉田 高英

  千葉大院理

• 音 賢一

  千葉大学理学部

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