20pHV-2 ポッケルス効果によるGaAs量子ホール系の電位分布測定(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2010-03-01

著者

• 室 清文

  千葉大院理

• 遠山 祐典

  大阪大学レーザーエネルギー学研究センター

• 音 賢一

  千葉大院理

• 山田 哲也

  千葉大院理

• 音 賢一

  千葉大学理学部

関連論文

• 23aPS-30 光ファイバを用いた偏光干渉測定系の開発(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
• 21pGQ-5 ナノファイバー上にACCVD成長させた単層カーボンナノチューブの単分子計測(21pGQ ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aPS-29 磁気光学効果を用いたスピンノイズ計測系の開発(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
• 20aWG-13 プラスチックターゲッドの密度計測による非局所電子熱伝導の直接計測(核融合プラズマ(強結合系/プラズマ応用),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 24aB33P レーザー核融合基礎実験用極低温重水素充填平板フォームターゲット(プラズマ応用、慣性核融合, (社) プラズマ・核融合学会第21回年会)
• 14pXB-4 極低温重水素充填フォームターゲットを用いたレーザー噴出加速実験(核融合プラズマ : 加熱・輸送・閉じ込め, 領域 2)
• 20pHV-1 Kerr顕微鏡によるv=1量子ホール状態の局所占有数と電流分布(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-6 量子ホール強磁性状態における乱雑ポテンシャルによるスピン波の崩壊(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-5 量子ホール2次元電子系における光学遷移の占有数依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-3 v=1量子ホール状態近傍における量子ホール電子系のスピンダイナミクス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-2 量子ホール電子系の磁気光カー回転スペクトル(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-1 電子スピン分極イメージングによる量子ホールデバイス中の電流分布測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-4 2色ポンプ・プローブカー回転測定による量子ホール電子のスピンダイナミクス(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-3 磁気光学効果による量子ホールデバイス中の電子スピン分極イメージング(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-7 v=1量子ホール状態近傍における光誘起カー効果によるスカーミオン生成・消滅のダイナミクスの観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aWH-8 高次奇数占有数におけるSkyrmionの存在の検証II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-3 Kerr効果による量子ホール状態のスピン分極測定と奇数占有数(ν=3)近傍でのSkyrmionの検証(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-4 奇数占有数量子ホール状態における電子スピンコヒーレンス増大の観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXL-1 光誘起カー効果によるGaAs/AlGaAs量子井戸中の量子ホール電子系のスピンダイナミクス(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aPS-82 希薄磁性半導体量子井戸CdTe/CdMnTeにおけるスピン共鳴(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28pPSB-4 時間分解光誘起ファラデー回転測定による半導体ナノ構造のスピンダイナミクスの研究(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aA11P EUV放射のレーザー波長依存性(慣性核融合、プラズマ基礎・応用)
• 21aYB-5 Ti 添加ターゲットを用いた爆縮プラズマの面密度計測
• 21aYB-8 超高強度レーザーと半球ターゲットの相互作用による高エネルギーイオン収束とプラズマ加熱
• 30pZJ-5 超高強度レーザーと湾曲ターゲットの相互作用によるイオン収束とプラズマ加熱
• 30pZJ-3 超高強度レーザー相対論高密度電子ジェットの固体中での伝播
• 28pZL-10 高強度レーザー誘導プラズマからの高速イオン発生研究 III
• 27pYA-3 高強度レーザー誘導プラズマからの高速イオン発生研究I
• 27pYA-2 超高強度レーザー相対論高密度電子ジェットの固体中での伝播
• 20aRA-10 超高強度レーザー相対論高密度電子によるプラズマ加熱
• 31a-XH-12 高速点火に関する超高強度レーザープラズマ相互作用の研究 (7) : Sub psレーザープラズマ相互作用による中性子計測
• 23pYJ-11 ZnSe/BeTe量子井戸における光励起蓄積キャリアの電場効果(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTQ-12 ZnSe/BeTeタイプII量子構造における時間分解発光の電場効果(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
• 19pPSB-22 ZnSe/BeTeタイプII量子構造における光励起キャリアダイナミクス(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25pWB-13 強閉じ込め型タイプII ZnSe/Beteにおける異常発光IX(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 超高強度レーザープラズマと高速点火核融合研究
• 19aRA-11 高速点火研究 : 超高強度レーザー・プラズマ相互作用 III
• 30aYP-11 超高強度レーザー・プラズマ相互作用 : 高速電子生成
• 30aYP-10 超高強度レーザー・プラズマ相互作用II
• 29aA02 高速電子生成 : 超高強度レーザー・固体相互作用(加熱/炉設計)
• 22pWE-9 高速点火研究2 : 超高強度レーザー・プラズマ相互作用
• 22pB-11 超高強度レーザーとプラズマ相互作用
• 25aYF-10 超高強度レーザー・プラズマ相互作用における電子密度計測用レーザー干渉計の設計
• 25aYF-3 超短パルス・超高強度レーザーによる粒子加速
• 31a-XH-11 高速点火に関する超高強度レーザープラズマ相互作用の研究 VI : 非局所加熱の計測
• 20pPSB-15 超強磁場下ZnSe/BeTeタイプII量子井戸サイクロトロン共鳴(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28pPSB-15 ポッケルス効果による量子ホール状態の電位分布イメージング(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aPS-100 全反射プリズム上に成長した単層カーボンナノチューブの近接場光共鳴散乱分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 20pHV-2 ポッケルス効果によるGaAs量子ホール系の電位分布測定(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXB-10 ZnSe/BeTe量子井戸における光誘起Kerrスペクトル測定(高密度励起,領域5,光物性)
• 27aVA-6 二色ポンプ・プローブKerr回転測定による光生成高密度電子のスピン偏極の観測(27aVA 高密度励起現象,領域5(光物性))
• 27pPSB-63 局所光励起による磁気フォーカス効果のイメージング(27pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pYH-5 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸における荷電励起子遷移と電子スピン偏極(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
• 22pYH-4 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸の光励起電子スピンダイナミクスII(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
• 22aPS-94 低温・磁場中における単一分子分光システムの構築(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 23pYJ-10 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸の光励起電子スピンダイナミクス(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTQ-13 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸における光誘起カ-回転(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
• 27pRE-10 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光VIII(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
• 20aXB-10 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光VII(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 26aWQ-7 顕微円二色測定による光生成二次元電子ガスの時間分解スピンイメージング(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25pWB-14 CdZnTe/CdZnMnTe量子井戸における極低温下でのスピン共鳴のソフトニング(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 24aXA-1 光ファイバーを用いた量子ホール系の強磁場、極低温におけるKerr回転スペクトルの測定(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aRA-9 近赤外領域における単一カーボンナノチューブの共鳴レイリー散乱と発光との比較(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pPSB-65 ナノファイバー上に成長させたSWNTの単分子計測(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 26pYH-11 ZnSe/BeTe単一量子構造でのタイプII発光について III(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
• 13aXD-12 外部電場に対する変調ドープ ZnSe/BeTe type II 量子井戸の発光応答(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
• 13aXD-10 ZnSe/BeTe 単一量子構造でのタイプ II 発光について II(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
• 19aRC-4 電気光学効果で見る電位分布とブレークダウン線幅依存性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pWH-8 電気光学イメージングでみた量子ホールブレークダウン(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-10 光ファイバーを用いたポッケルス効果測定による量子ホール状態の電位分布イメージング(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYC-3 希薄磁性半導体CdMnTeバルク結晶における励起子スピン緩和ダイナミクス(磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pYH-9 非対称多重量子井戸ZnSe/BeTeにおけるタイプII発光の電場依存性(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
• 26pYH-8 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光 VI(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
• 26pYH-7 (Cd, Zn)Te/(Cd, Zn, Mn)Te量子井戸構造中での励起子分子ダイナミクスに対するダーク状態の関与(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
• 25pXQ-6 希薄磁性半導体CdMnTeにおける自由励起子磁気ポーラロン形成と励起子スピンフリップ(超伝導体・強相関系・磁性半導体・新分光法,領域5(光物性))
• 13pPSA-23 希薄磁性半導体多重量子井戸 CdTe/CdMnTe における磁気光学ダイナミクス(領域 5)
• 28aPS-78 希薄磁性半導体CdZnTe/CdZnMnTeにおけるスピンフリップラマン散乱(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20pPSB-32 極低温・強磁場下での光ファイバーを用いたラマン散乱分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24pXQ-5 II-VI族半導体CdTe系量子井戸におけるスピンフリップラマン散乱(局在中心・励起子ポラトリン・超高速現象,領域5(光物性))
• 13aXD-9 希薄磁性半導体非対称量子井戸におけるダーク励起子による励起子分子の生成(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
• 24aPS-45 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeにおける非線形増大発光と時間分解円二色性 III(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 14aYC-4 希薄磁性半導体 Cd_Mn_xTe における非線形増大発光と時間分解磁気円二色性 II(磁性半導体, 領域 4)
• 28a-M-3 ナローギャップ半磁性半導体の分光測定
• 30a-BA-4 半磁性半導体Hg_Mn_xTeの分光測定
• 25pPSA-15 共鳴レイリー散乱分光による孤立カーボンナノチューブの基底励起子遷移(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26aHC-8 単一InAs Quantum Dotのコヒーレント分光(26aHC 若手奨励賞受賞記念講演/新光源・新分光法,領域5(光物性))
• 21pPSB-55 高効率なチューナブルシャープエッジフィルターの開発と共鳴ラマン分光への応用(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21aTG-6 架橋単層カーボンナノチューブの分子吸着による伝導特性の変化(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pAD-5 磁気光学効果を用いたスピンノイズ測定システムの開発(27pAD 新光源,領域5(光物性))
• 26pSA-12 サニャック干渉計による量子ホール電子系のスピン偏極計測(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCF-4 分子吸着したカーボンナノチューブの電気伝導特性の温度変化(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pBL-10 磁場中PLE測定によるInAs量子ドットの励起状態への光学遷移の同定(27pBL 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
• 24pPSA-56 高スペクトル純度の波長可変レーザーを用いた単層カーボンナノチューブのPLE測定(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 19pEC-4 低温磁場中における架橋単層カーボンナノチューブのPLE測定(19pEC ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pPSA-3 量子ホール電子系における希釈冷凍機温度でのKerr回転イメージング(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-6 サニャック干渉計を用いた量子ホール電子系の高感度スピン偏極イメージング(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXP-10 単一カーボンナノチューブの偏光依存光伝導測定(26aXP ナノチューブ(光物性・分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aXP-4 カーボンナノチューブのK-K'ダーク励起子フォノンサイドバンドの分裂の観測(26aXP ナノチューブ(光物性・分光),領域7(分子性固体・有機導体))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク