吉田 高英 | 千葉大院理

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概要

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関連著者

• 吉田 高英

  千葉大院理

• 音 賢一

  千葉大院理

• 音 賢一

  千葉大学理学部

• 柴崎 一郎

  旭化成

• 石田 修一

  山口東理大

• 音 賢一

  千葉大理

• 吉田 高英

  千葉大理

• 石原 知幸

  千葉大理

著作論文

• 25pXD-14 グラファイト磁気キャパシタンス振動の起源(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pYH-4 グラファイト中のグラフェン磁気キャパシタンス振動(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-13 InAs/AlGaSbAs量子井戸の斜め磁場下でのランダウ準位(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-1 InAs/AlGaSbAs電子・正孔共存系の量子ホール効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pHV-10 単層グラフェンにおける電荷中性点付近の磁気抵抗(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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