25pPSA-76 GaAs二次元電子ガスにおける光誘起スピン輸送の観測(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
23aPS-30 光ファイバを用いた偏光干渉測定系の開発(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
-
21pGQ-5 ナノファイバー上にACCVD成長させた単層カーボンナノチューブの単分子計測(21pGQ ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
-
20pHV-1 Kerr顕微鏡によるv=1量子ホール状態の局所占有数と電流分布(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25pXD-6 量子ホール強磁性状態における乱雑ポテンシャルによるスピン波の崩壊(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
25pXD-5 量子ホール2次元電子系における光学遷移の占有数依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
28aTX-3 v=1量子ホール状態近傍における量子ホール電子系のスピンダイナミクス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
28aTX-2 量子ホール電子系の磁気光カー回転スペクトル(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
28aTX-1 電子スピン分極イメージングによる量子ホールデバイス中の電流分布測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pYK-4 2色ポンプ・プローブカー回転測定による量子ホール電子のスピンダイナミクス(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pYK-3 磁気光学効果による量子ホールデバイス中の電子スピン分極イメージング(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
23aWH-7 v=1量子ホール状態近傍における光誘起カー効果によるスカーミオン生成・消滅のダイナミクスの観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
23aWH-8 高次奇数占有数におけるSkyrmionの存在の検証II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21aTH-3 Kerr効果による量子ホール状態のスピン分極測定と奇数占有数(ν=3)近傍でのSkyrmionの検証(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21aTH-4 奇数占有数量子ホール状態における電子スピンコヒーレンス増大の観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22pYH-6 ZnSe/BeTeタイプII荷電励起子のパルス強磁場下磁気発光(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
-
23pYJ-11 ZnSe/BeTe量子井戸における光励起蓄積キャリアの電場効果(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21aTQ-12 ZnSe/BeTeタイプII量子構造における時間分解発光の電場効果(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
-
19pPSB-22 ZnSe/BeTeタイプII量子構造における光励起キャリアダイナミクス(ポスターセッション,領域5,光物性)
-
25pWB-13 強閉じ込め型タイプII ZnSe/Beteにおける異常発光IX(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
-
25pXD-14 グラファイト磁気キャパシタンス振動の起源(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
27pYH-4 グラファイト中のグラフェン磁気キャパシタンス振動(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pPSB-15 超強磁場下ZnSe/BeTeタイプII量子井戸サイクロトロン共鳴(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
20pZC-6 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸におけるパルス強磁場下高密度光励起現象(非線形光学・励起子・ポラリトン・緩和励起子・局在中心・新分光法,領域5,光物性)
-
25aPS-24 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸におけるパルス強磁場磁気発光特性III(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
28aPS-24 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸におけるパルス強磁場磁気発光特性II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
20aXB-11 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸におけるパルス強磁場磁気発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
-
20pHV-2 ポッケルス効果によるGaAs量子ホール系の電位分布測定(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25pXB-10 ZnSe/BeTe量子井戸における光誘起Kerrスペクトル測定(高密度励起,領域5,光物性)
-
27aVA-6 二色ポンプ・プローブKerr回転測定による光生成高密度電子のスピン偏極の観測(27aVA 高密度励起現象,領域5(光物性))
-
27pPSB-63 局所光励起による磁気フォーカス効果のイメージング(27pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
22pYH-5 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸における荷電励起子遷移と電子スピン偏極(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
-
22pYH-4 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸の光励起電子スピンダイナミクスII(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
-
23pYJ-10 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸の光励起電子スピンダイナミクス(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21aTQ-13 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸における光誘起カ-回転(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
-
27pRE-10 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光VIII(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
-
28aPS-52 タイプII量子構造での高密度励起パルス強磁場磁気分光II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
20aXB-12 タイプII量子構造での高密度励起パルス強磁場磁気分光(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
-
20aXB-10 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光VII(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
-
ドットおよびリング配列構造の遠赤外磁気光吸収
-
26aWQ-7 顕微円二色測定による光生成二次元電子ガスの時間分解スピンイメージング(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
26pYH-10 パルス強磁場下電子正孔分離型量子構造CdS/ZnSeからの間接発光(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
-
13aXD-8 CdS/ZnSe タイプ II 多重量子井戸の強磁場磁気発光スペクトル(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
-
27pYA-13 希薄磁性半導体2次元荷電励起子の極低温・強磁場発光(磁性半導体)(領域4)
-
20pWB-4 CdS/ZnSe タイプ II 超格子の磁気発光特性
-
17pYJ-7 ガラス中CdTe微粒子の光物性
-
25pWB-14 CdZnTe/CdZnMnTe量子井戸における極低温下でのスピン共鳴のソフトニング(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
-
24aXA-1 光ファイバーを用いた量子ホール系の強磁場、極低温におけるKerr回転スペクトルの測定(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
25pPSB-65 ナノファイバー上に成長させたSWNTの単分子計測(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
-
18pYG-6 強磁場下における希薄磁性半導体量子井戸中の励起子分子スピン状態III
-
29pTC-9 強磁場下における希薄磁性半導体量子井戸中の励起子分子スピン状態II
-
23pSB-1 強磁場下における希薄磁性半導体量子井戸中の励起子分子スピン状態
-
26pYH-11 ZnSe/BeTe単一量子構造でのタイプII発光について III(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
-
13aXD-12 外部電場に対する変調ドープ ZnSe/BeTe type II 量子井戸の発光応答(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
-
13aXD-10 ZnSe/BeTe 単一量子構造でのタイプ II 発光について II(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
-
30pXQ-4 変調ドープZnSe/BeTe量子井戸における空間分離型電子・正孔再結合発光(高密度励起現象)(領域5)
-
30pXQ-3 ZnSe/BeTe単一量子構造でのタイプII発光について(高密度励起現象)(領域5)
-
22pPSA-66 ZnSe/BeTe タイプ II 量子井戸における光学的異方性
-
20pTH-9 n-ドープ ZnMgBeSe/ZnSe/BeTe タイプ II 量子井戸の光物性 (II)
-
17pRE-17 ホットウォール法による原子空孔配列化合物半導体In_2Se_3薄膜の作製とその光物性
-
27aYG-13 ホットウォール法によるGa_2Se_3薄膜単結晶の作成
-
21pHV-10 単層グラフェンにおける電荷中性点付近の磁気抵抗(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21aTH-2 ポッケルス効果による量子ホール系の電流分布測定(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19aRC-4 電気光学効果で見る電位分布とブレークダウン線幅依存性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19aXB-11 希薄磁性半導体量子井戸(Cd,Zn)Te/(Cd,Zn,Mn)Teにおける励起子分子発光とその強磁場効果(光誘起相転移・磁性・新物質・顕微,領域5(光物性))
-
22pPSA-40 タイプ II 超格子 ZnSe/BeTe における光学的性質
-
23pWH-8 電気光学イメージングでみた量子ホールブレークダウン(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
25pXL-10 光ファイバーを用いたポッケルス効果測定による量子ホール状態の電位分布イメージング(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
22aYC-3 希薄磁性半導体CdMnTeバルク結晶における励起子スピン緩和ダイナミクス(磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26pYH-9 非対称多重量子井戸ZnSe/BeTeにおけるタイプII発光の電場依存性(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
-
26pYH-8 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光 VI(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
-
26pYH-7 (Cd, Zn)Te/(Cd, Zn, Mn)Te量子井戸構造中での励起子分子ダイナミクスに対するダーク状態の関与(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
-
25pXQ-6 希薄磁性半導体CdMnTeにおける自由励起子磁気ポーラロン形成と励起子スピンフリップ(超伝導体・強相関系・磁性半導体・新分光法,領域5(光物性))
-
13pPSA-23 希薄磁性半導体多重量子井戸 CdTe/CdMnTe における磁気光学ダイナミクス(領域 5)
-
28pXQ-1 希薄磁性半導体量子井戸(Cd,Zn)Te/(Cd,Zn,Mn)Teでの励起子分子ダイナミクスII(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
-
22pPSA-14 希薄磁性半導体 CdZnTe/CdZnMnTe での励起子分子ダイナミクス
-
20aWB-4 希薄磁性半導体量子井戸 CdTe/CdMnTe における励起子複合状態の四光波混合特性
-
28pYF-4 強磁場四光波混合測定による励起子及び励起子分子の振る舞い II
-
24pXQ-5 II-VI族半導体CdTe系量子井戸におけるスピンフリップラマン散乱(局在中心・励起子ポラトリン・超高速現象,領域5(光物性))
-
13aXD-9 希薄磁性半導体非対称量子井戸におけるダーク励起子による励起子分子の生成(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
-
28pXQ-2 希薄磁性半導体非対称量子井戸での励起子と励起子分子の異常分布(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
-
22aTB-3 希薄磁性半導体非対称量子井戸における励起子と励起子分子の非平衡分布 III
-
24aPS-45 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeにおける非線形増大発光と時間分解円二色性 III(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
14aYC-4 希薄磁性半導体 Cd_Mn_xTe における非線形増大発光と時間分解磁気円二色性 II(磁性半導体, 領域 4)
-
20aXB-9 微細金属マスクを用いたZnSe/BeTeのタイプII発光(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
-
28aZE-8 ナノ配列原子空孔半導体 In_2Se_3 の作製とその光物性
-
27pEE-7 Spatial distribution of spin polarized quantum Hall current observed by scanning Kerr rotation microscope(27pEE Nonequilibrium phenomena in quantum gases, fluids, and solids)
-
25pPSA-9 スポット光励起下の量子ホール状態の臨界電流測定による電流分布イメージング(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25pPSA-76 GaAs二次元電子ガスにおける光誘起スピン輸送の観測(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
27pEE-7 Spatial distribution of spin polarized quantum Hall current observed by scanning Kerr rotation microscope(Nonequilibrium phenomena in quantum gases, fluids, and solids")
-
21aTG-6 架橋単層カーボンナノチューブの分子吸着による伝導特性の変化(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pSA-12 サニャック干渉計による量子ホール電子系のスピン偏極計測(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25pCF-4 分子吸着したカーボンナノチューブの電気伝導特性の温度変化(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
24pPSA-56 高スペクトル純度の波長可変レーザーを用いた単層カーボンナノチューブのPLE測定(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
-
19pEC-4 低温磁場中における架橋単層カーボンナノチューブのPLE測定(19pEC ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
28pPSA-3 量子ホール電子系における希釈冷凍機温度でのKerr回転イメージング(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27aXQ-6 サニャック干渉計を用いた量子ホール電子系の高感度スピン偏極イメージング(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26aXP-10 単一カーボンナノチューブの偏光依存光伝導測定(26aXP ナノチューブ(光物性・分光),領域7(分子性固体・有機導体))
-
26aXP-4 カーボンナノチューブのK-K'ダーク励起子フォノンサイドバンドの分裂の観測(26aXP ナノチューブ(光物性・分光),領域7(分子性固体・有機導体))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク