28aZE-8 ナノ配列原子空孔半導体 In_2Se_3 の作製とその光物性

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-03-06

著者

• 三野 弘文

  千葉大院・自然科学

• 三野 弘文

  千葉大院・理

• 嶽山 正二郎

  千葉大・理

• 山田 太一

  千葉大院・自然科

• 山田 太一

  電通大電子

• 長井 史生

  千葉大院・自然科学

• 新村 通郎

  千葉大・理

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