20aWB-4 希薄磁性半導体量子井戸 CdTe/CdMnTe における励起子複合状態の四光波混合特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-08-15
著者
-
音 賢一
千葉大理
-
嶽山 正二郎
千葉大理
-
三野 弘文
千葉大院自然
-
三野 弘文
千葉大院・理
-
有嶋 優
千葉大院・自然科学
-
長井 史生
千葉大院・自然科学
-
長井 史生
千葉大院自然
-
有嶋 優
千葉大院自然
関連論文
- 21pGQ-5 ナノファイバー上にACCVD成長させた単層カーボンナノチューブの単分子計測(21pGQ ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pPSB-14 AlGaAsSb/InAs量子井戸2次元電子のスピン-軌道相互作用の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-71 AlGaAsSb/InAs量子井戸の磁気輸送現象(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-70 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子系の電子間相互作用による磁気抵抗(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTH-3 Kerr効果による量子ホール状態のスピン分極測定と奇数占有数(ν=3)近傍でのSkyrmionの検証(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pYH-6 ZnSe/BeTeタイプII荷電励起子のパルス強磁場下磁気発光(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- 22pK-10 希薄磁性半導体Hg_Cd_xMn_yTeの光電子分光II
- 23pYJ-11 ZnSe/BeTe量子井戸における光励起蓄積キャリアの電場効果(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTQ-12 ZnSe/BeTeタイプII量子構造における時間分解発光の電場効果(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
- 19pPSB-22 ZnSe/BeTeタイプII量子構造における光励起キャリアダイナミクス(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25pWB-13 強閉じ込め型タイプII ZnSe/Beteにおける異常発光IX(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 20pPSB-15 超強磁場下ZnSe/BeTeタイプII量子井戸サイクロトロン共鳴(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pZC-6 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸におけるパルス強磁場下高密度光励起現象(非線形光学・励起子・ポラリトン・緩和励起子・局在中心・新分光法,領域5,光物性)
- 25aPS-24 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸におけるパルス強磁場磁気発光特性III(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aPS-24 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸におけるパルス強磁場磁気発光特性II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20aXB-11 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸におけるパルス強磁場磁気発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 28pPSB-15 ポッケルス効果による量子ホール状態の電位分布イメージング(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
- 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
- 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
- 25pXB-10 ZnSe/BeTe量子井戸における光誘起Kerrスペクトル測定(高密度励起,領域5,光物性)
- 27aVA-6 二色ポンプ・プローブKerr回転測定による光生成高密度電子のスピン偏極の観測(27aVA 高密度励起現象,領域5(光物性))
- 22pYH-5 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸における荷電励起子遷移と電子スピン偏極(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
- 22pYH-4 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸の光励起電子スピンダイナミクスII(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
- 30pYH-9 変調ドープ n-CdTe/(Cd, Mg, Mn) Te 量子井戸におけるν∿1 近傍の PL スペクトル異常
- 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
- 23pYJ-10 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸の光励起電子スピンダイナミクス(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTQ-13 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸における光誘起カ-回転(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
- 27pRE-10 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光VIII(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
- 28aPS-52 タイプII量子構造での高密度励起パルス強磁場磁気分光II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20aXB-12 タイプII量子構造での高密度励起パルス強磁場磁気分光(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 20aXB-10 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光VII(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- 29aPS-124 量子リングの高周波応答
- 29aPS-124 量子リングの高周波応答
- 18aYH-5 CdTe/(Cd, Mg, Mn)Te量子井戸中2次元電子系の磁気光特性
- 27pTC-2 強磁場におけるCd Te/(Cd, Mg, Mn)Te量子井戸中2次元電子ガスのフォトルミネッセンス異常
- 25pPSA-11 THz光伝導における二次元電子サイクロトロン共鳴線の周波数依存性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-12 量子リングの伝導特性に対するマイクロ波誘起現象(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYC-14 半導体量子リングの磁気抵抗に現れる局在電子効果(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 12pYC-2 単一量子リング中の電子のマイクロ波および遠赤外光応答(量子細線, 領域 4)
- 23aWH-13 InAs/AlGaSbAs量子井戸の斜め磁場下でのランダウ準位(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTH-1 InAs/AlGaSbAs電子・正孔共存系の量子ホール効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aWQ-7 顕微円二色測定による光生成二次元電子ガスの時間分解スピンイメージング(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 26pYH-10 パルス強磁場下電子正孔分離型量子構造CdS/ZnSeからの間接発光(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 13aXD-8 CdS/ZnSe タイプ II 多重量子井戸の強磁場磁気発光スペクトル(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 27pYA-13 希薄磁性半導体2次元荷電励起子の極低温・強磁場発光(磁性半導体)(領域4)
- 20pWB-4 CdS/ZnSe タイプ II 超格子の磁気発光特性
- 21aTH-5 強磁場における希薄磁性半導体二次元荷電励起子の振る舞い
- 17pYJ-7 ガラス中CdTe微粒子の光物性
- 25pWB-14 CdZnTe/CdZnMnTe量子井戸における極低温下でのスピン共鳴のソフトニング(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 30pPSA-60 強磁場中での荷電励起子のダイナミクス
- 24pL-4 斜め磁場でのWeiss振動
- 25pPSB-65 ナノファイバー上に成長させたSWNTの単分子計測(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
- 31aZF-7 シリコンナノ結晶チェーンの電気伝導特性
- 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
- 23aL-13 エッジ幅の占有数依存性
- 23aL-12 Si-MOSのエッジチャネル
- 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
- 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
- 19aXB-11 希薄磁性半導体量子井戸(Cd,Zn)Te/(Cd,Zn,Mn)Teにおける励起子分子発光とその強磁場効果(光誘起相転移・磁性・新物質・顕微,領域5(光物性))
- 22pPSA-40 タイプ II 超格子 ZnSe/BeTe における光学的性質
- 22aYC-3 希薄磁性半導体CdMnTeバルク結晶における励起子スピン緩和ダイナミクス(磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXQ-6 希薄磁性半導体CdMnTeにおける自由励起子磁気ポーラロン形成と励起子スピンフリップ(超伝導体・強相関系・磁性半導体・新分光法,領域5(光物性))
- 21aTH-4 スペクトルおよび時間分解光誘起ファラデー回転による磁気ポーラロンスピン配向過程
- 31aYH-2 ポンプ・プローブファラデー回転による磁気ポーラロンスピン配向のダイナミクス
- 13pPSA-23 希薄磁性半導体多重量子井戸 CdTe/CdMnTe における磁気光学ダイナミクス(領域 5)
- 20aWB-4 希薄磁性半導体量子井戸 CdTe/CdMnTe における励起子複合状態の四光波混合特性
- 30pPSA-20 希薄磁性量子井戸 CdTe/CdMnTe での荷電励起子のスピン選択四光波混合
- 28aPS-78 希薄磁性半導体CdZnTe/CdZnMnTeにおけるスピンフリップラマン散乱(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pXQ-5 II-VI族半導体CdTe系量子井戸におけるスピンフリップラマン散乱(局在中心・励起子ポラトリン・超高速現象,領域5(光物性))
- 13aXD-9 希薄磁性半導体非対称量子井戸におけるダーク励起子による励起子分子の生成(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 28pXQ-2 希薄磁性半導体非対称量子井戸での励起子と励起子分子の異常分布(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- 22aTB-3 希薄磁性半導体非対称量子井戸における励起子と励起子分子の非平衡分布 III
- 28pYF-5 希薄磁性半導体非対称量子井戸における励起子と励起子分子の非平衡分布 II
- 24aPS-45 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeにおける非線形増大発光と時間分解円二色性 III(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 14aYC-4 希薄磁性半導体 Cd_Mn_xTe における非線形増大発光と時間分解磁気円二色性 II(磁性半導体, 領域 4)
- 27aXB-2 線幅に比例しない量子ホール・ブレークダウンと電流分布(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-31 希薄磁性半導体 Cd_Mn_xTe における新たな磁気ポーラロン遷移; bi-exciton magnetic polaron?
- 28pYF-6 低 Mn 濃度 CdMnTe の励起子ポーラロンダイナミクス (II)
- 24aC-10 非対称2次元励起子磁気ポーラロン(理論)
- 25pPSA-9 スポット光励起下の量子ホール状態の臨界電流測定による電流分布イメージング(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-6 GaAs/AlGaAs系の磁気キャパシタンス測定によるポテンシャル揺らぎの評価(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 8aSB-9 強磁場における希薄磁性半導体二次元荷電励起子の時間分解分光(磁性半導体,領域4)
- 8pSJ-14 希薄磁性半導体非対称量子井戸における励起子と励起子分子の非平衡分布(非線形・超高圧分光法,高密度励起現象,新光源・新分光法,非線形光学,領域5)
- 7aSB-5 低Mn濃度CdMnTeの励起子ポーラロンダイナミクス(磁性半導体,領域4)
- 7aSB-2 CdTe/CdMnTe量子井戸構造における励起子発光の異常レッドシフトII(磁性半導体,領域4)
- 7pPSA-71 CdMnTe低Mn濃度領域における磁気ポーラロン(領域5)
- 27pXP-5 Cd_1-xMn_xTe量子井戸-Feハイブリッド構造のカソードルミネセンス(27pXP 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))