27aXB-2 線幅に比例しない量子ホール・ブレークダウンと電流分布(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 音 賢一

  千葉大理

• 石原 知幸

  千葉大理

• 片桐 崇良

  千葉大理

関連論文

• 21pGQ-5 ナノファイバー上にACCVD成長させた単層カーボンナノチューブの単分子計測(21pGQ ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pPSB-14 AlGaAsSb/InAs量子井戸2次元電子のスピン-軌道相互作用の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-71 AlGaAsSb/InAs量子井戸の磁気輸送現象(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-70 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子系の電子間相互作用による磁気抵抗(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTH-3 Kerr効果による量子ホール状態のスピン分極測定と奇数占有数(ν=3)近傍でのSkyrmionの検証(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 23pYJ-11 ZnSe/BeTe量子井戸における光励起蓄積キャリアの電場効果(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTQ-12 ZnSe/BeTeタイプII量子構造における時間分解発光の電場効果(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
• 28pPSB-15 ポッケルス効果による量子ホール状態の電位分布イメージング(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
• 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
• 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
• 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
• 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
• 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 29aPS-124 量子リングの高周波応答
• 29aPS-124 量子リングの高周波応答
• 25pPSA-11 THz光伝導における二次元電子サイクロトロン共鳴線の周波数依存性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pPSB-12 量子リングの伝導特性に対するマイクロ波誘起現象(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYC-14 半導体量子リングの磁気抵抗に現れる局在電子効果(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 12pYC-2 単一量子リング中の電子のマイクロ波および遠赤外光応答(量子細線, 領域 4)
• 23aWH-13 InAs/AlGaSbAs量子井戸の斜め磁場下でのランダウ準位(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-1 InAs/AlGaSbAs電子・正孔共存系の量子ホール効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 20pWB-4 CdS/ZnSe タイプ II 超格子の磁気発光特性
• 25pWB-14 CdZnTe/CdZnMnTe量子井戸における極低温下でのスピン共鳴のソフトニング(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 24pL-4 斜め磁場でのWeiss振動
• 25pPSB-65 ナノファイバー上に成長させたSWNTの単分子計測(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
• 31aZF-7 シリコンナノ結晶チェーンの電気伝導特性
• 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
• 23aL-13 エッジ幅の占有数依存性
• 23aL-12 Si-MOSのエッジチャネル
• 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
• 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
• 22pPSA-40 タイプ II 超格子 ZnSe/BeTe における光学的性質
• 13pPSA-23 希薄磁性半導体多重量子井戸 CdTe/CdMnTe における磁気光学ダイナミクス(領域 5)
• 20aWB-4 希薄磁性半導体量子井戸 CdTe/CdMnTe における励起子複合状態の四光波混合特性
• 28aPS-78 希薄磁性半導体CdZnTe/CdZnMnTeにおけるスピンフリップラマン散乱(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-45 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeにおける非線形増大発光と時間分解円二色性 III(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 14aYC-4 希薄磁性半導体 Cd_Mn_xTe における非線形増大発光と時間分解磁気円二色性 II(磁性半導体, 領域 4)
• 25pPSA-10 正・負の永久光伝導によるGaAs 2次元電子系のキャリア濃度の制御と伝導特性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-2 線幅に比例しない量子ホール・ブレークダウンと電流分布(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-31 希薄磁性半導体 Cd_Mn_xTe における新たな磁気ポーラロン遷移; bi-exciton magnetic polaron?
• 25pPSA-9 スポット光励起下の量子ホール状態の臨界電流測定による電流分布イメージング(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-3 線幅に比例しないブレークダウンと活性化エネルギー(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 29pYG-1 ブレークダウン電流が線幅に比例しない2次元電子系の活性化エネルギー(量子ホール効果)(領域4)
• 19pYC-6 GaAs/AlGaAs系の磁気キャパシタンス測定によるポテンシャル揺らぎの評価(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク