SnドープInSb単結晶薄膜の磁気抵抗効果と回転検出特性

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概要

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• Using Sn-doped single crystal InSb thin films of 1.0μm thickness grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE), we have developed new magneto-resistance (MR) elements with very small temperature dependence. These MR elements was used to form rotation detection sensors combined with bias magnet, and we can achieve the stable contactless detection of rotating gear teeth over a wide range of rotation speeds and a wide range of temperatures-20 to 140°C.

• 社団法人 電気学会の論文
• 2006-08-01

著者

• 岡本 敦

  旭化成エレクトロニクス

• 柴崎 一郎

  旭化成

• 西村 和浩

  旭化成電子

• 柴崎 一郎

  旭化成株式会社 新事業本部 柴崎研究室

• 後藤 広将

  旭化成株式会社 新事業本部 柴崎研究室

• 岡本 敦

  旭化成株式会社 新事業本部 柴崎研究室

• 柴崎 一郎

  旭化成株式会社

• 柴崎 一郎

  旭化成工業株式会社研究開発本部

• 柴崎 一郎

  旭化成新事業本部:野口研究所

• 後藤 広将

  旭化成エレクトロニクス

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