Grain Boundary Structure and Bandtail Transport in High Mobility Poly-Si TFTs
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1995-08-21
著者
-
邑瀬 和生
大阪教養
-
Takaoka S
Graduate School Of Science Osaka University
-
Murase K
Ntt Corp. Kanagawa Jpn
-
MURASE Kazuo
Faculty of Science, Osaka University
-
TAKAOKA Sadao
Faculty of Science, Osaka University
-
Murase Kazuo
Faculty Of Science Osaka University
-
OTO Kenichi
Graduate School of Science, Osaka University
-
SERIKAWA Tadashi
NTT Interdisciplinary Research Labs.
-
SHIRAI Seiiti
NTT Interdisciplinary Research Labs.
-
NAKAGAWA Kazuo
faculty of Science, Osaka University
-
OTO Kenichi
faculty of Science, Osaka University
-
ISHIDA Shuichi
Science University of Tokyo in Yamaguchi
-
Shirai Seiichi
NTT Interdisciplinary Research Labs.
-
Sakamoto Toshitugu
Faculty Of Engineering Science Osaka University
-
Oto Kenichi
Graduate School Of Science Osaka University
-
Murase K
Graduate School Of Science Osaka University
-
Shirai Seiiti
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories
-
Nakagawa Kazuo
Faculty Of Science Osaka University
-
Ishida Shuichi
Division Of Cardiovascular Medicine Department Of Internal Medicine Ohmori Hospital Toho University
-
Shirai S
Ntt Interdisciplinary Research Labs.
-
Serikawa T
Ntt Cyber Space Lab. Tokyo Jpn
-
Serikawa Tadashi
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories
-
Ishida S
Department Of Physics Faculty Of Science Kagoshima University
関連論文
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- 30pZD-8 融液急冷 Ge-Se ガラスの構造および構造変化
- 22pYP-12 ネットワークガラスの構造緩和および硬さの相転移
- 25pL-8 GeSe系ガラスの構造緩和とネットワークの変化
- 27aC-6 Ge-(S, Se)系バルクガラスの構造および低振動数モード
- 27aC-5 GeSe_2ガラスの共鳴ラマン散乱と局所構造
- 29a-S-8 g-Ge_xSe_ガラス転移における構造緩和
- 31p-F-12 Ge-(S, Se)系バルクガラスにおける構造次元性とフラクタル性
- カルコゲナイドガラスの構造と物性 (特集 カルコゲナイドガラス)
- アモルファスゲルマニウムカルコゲナイドの構造と物性--中距離構造と光誘起結晶化 (アモルファス半導体と新材料) -- (カルコゲナイドガラス)
- 28pTC-9 Ge_xSe_(X=0.30〜0.37)ガラスのナノ相分離
- 28pTC-8 アモルファスGe_xSe_薄膜の熱アニール効果と光励起緩和過程
- 29p-ZF-6 結晶GeSe_2のフォノンモードの同定と共鳴ラマン散乱
- 29a-S-9 Ge_xSe_ガラスの低振動数ラマン散乱
- X=0.07近傍のGe_XSe_結晶相
- Eu^ドープGeS_2ガラスのイオン-格子相互作用
- 結晶GeSe_2の共鳴ラマンスペクトル
- 31p-F-11 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンススペクトル形状の励起エネルギー依存性
- 31p-F-10 Ge_xSe_ガラスのラマンスペクトルの温度依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
- 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 28pTC-7 硬さの相転移におけるネットワークガラスのダイナミクス
- 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
- 22pYP-11 Ge_xSe_ガラスの光学的振動モードラマンスペクトルの温度依存性
- 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
- 25pL-9 アモルファスSi/SiO_2多層膜のa-Siのラマン散乱
- Electron Captureに関するSpin polarization effect : 半導体 (化合物, その他)
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
- 異方アンチドット系における電気伝導度
- 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- GaAs(110)微傾斜面上のAlGaAs分子線成長と量子細線構造の形成
- 29p-ZF-5 アモルファスGeSe_2薄膜のフォトルミネッセンス
- 26p-YE-12 Ge-(Se,S)系ガラスにおける硬さのパーコレーション
- 26p-YE-11 Ge-S-Se三元系ガラスにおけるカルコゲン原子の選択的サイト占有
- 26p-YE-5 結晶GeSe_2の時間分解フォトルミネッセンス
- 31p-YJ-5 g-Ge_xSe_の低エネルギーラマンスペクトルの温度依存性
- 31p-YJ-4 Ge(S_xSe_)_2ガラスの四面体間相互作用
- 31p-YJ-3 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス : 温度依存性
- 31p-YJ-2 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス : 励起エネルギー依存性
- 31p-YH-7 Zn_Mn_xS微結晶の光学特性
- 6p-YL-10 Ge_xSe_ガラスにおける低振動数モードと硬さのパーコレーションとの相関性
- 29a-S-7 非晶質 GeSe_2 の結晶化温度の試料作成法依存性
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 28p-W-15 アモルファスGe_xSe_系の正・逆光電子分光
- 29p-X-11 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子スペクトルとラマンスペクトル
- 28p-YQ-10 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子分光
- 31p-M-10 Ag,Cuをフォトドープした a-GeSe_2 の伝導帯構造
- 12a-DF-12 a-Si/SiO_2多層膜のレーザーアニーリング
- Investigation of Hall Resistivity in Antidot Lattices with respect to Commensurability Oscillations
- On the Mechanism of Commensurability Oscillations in Anisotropic Antidot Lattices
- Current-Direction-Dependent Commensurate Oscillations in GaAs/AlGaAs Antidot Superlattice
- 29a-M-6 量子ホール効果状態での伝導度と電気容量
- 29a-M-6 量子ホール効果状態での伝導度と電気容量
- 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
- 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
- 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
- 24pL-4 斜め磁場でのWeiss振動
- 26aC-7 逆HEMT2次元電子系におけるフォーカス効果と平行磁場
- 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
- 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
- 3a-J-13 薄膜g-GeSe_2の光誘起結晶化
- 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化
- 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 27a-X-8 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 30p-ZE-8 斜め磁場における2層2次元電子系のサイクロトロン有効質量
- 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性
- 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性