GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
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概要
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GaAs(11)基板上GaP/InP超格子(SL)InGaP多層構造中に自己形成された量子ドット(MQDs)構造についてSL周期数(P)とInGaP障壁層の厚さ(B)を系統的に変えて光学特性を調べた。PL(photoluminescence)ピークエネルギーはPを減らすと成長方向の量子サイズ効果により、高エネルギー側に移動する。PL半値幅の広がはPとBを減らすことにより抑えられた。これらの改善はQDs中のポテンシャルのばらつきの減少と成長方向の量子閉じ込め効果の増大、QDs間の縦方向のカプリングによる量子閉じ込め効果の増大によるものである。これらのMQDsから極めて小さいPLピークの温度変化が観測された。これはMQDs中で多重応力が存在しているためである。GaP/InP SL/InGaP MQDs-LED構造は優れたEL(electroluminescence)特性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-09
著者
-
朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
-
朝日 一
大阪大学産業科学研究所
-
浅見 久美子
阪大・産研
-
権田 俊一
阪大・産研
-
浅見 久美子
大阪大学産業科学研究所
-
権田 俊一
大阪大学産業科学研究所
-
金 成珍
大阪大学産業科学研究所
-
筆田 麻祐子
大阪大学産業科学研究所
-
武本 美紀
大阪大学産業科学研究所
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