プラズマによる薄膜形成の基礎過程 (広がるプラズマの新しい応用--プラズマ・プロセス-3-)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Elementary processes of thin film formation by plasma method are described mainly concerning amorphous Si film formation from SiH<SUB>4</SUB> using glow discharge plasma. Elementary processes are composed of (1) primary processes involving electron impact on SiH<SUB>4</SUB> molecule and resulting dissociation, (2) secondary processes involving reaction of species within the plasma, and (3) final processes on the surface of the film such as adsorption, desorption, migration and reaction of precursors. Candidates of precursors are considered to be SiH<SUB>3</SUB> <SUP>*</SUP> and H <SUP>*</SUP>, and hydrogen abstraction by H * radicals is also important in the film formation.
- 社団法人 プラズマ・核融合学会の論文
著者
関連論文
- Gas-SourceMBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- Gas-Source MBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
- GaP/InP 短周期超格子成長による自己形成量子構造
- タリウム系半導体の結晶成長 : 温度無依存バンドギャップ半導体の可能性
- GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
- ガスソースMBE成長TlInCaP系の光学的特性
- ガスソースMBE成長TlInGaP系の光学的特性
- 新III-V族半導体TlInGaPのガスソースMBE成長
- 設計のためのデータベース/シュミレーションプログラムの利用
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
- 科学・物質・技術
- 半導体量子構造
- GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
- 半導体真空一貫プロセス
- 半導体真空一貫プロセス
- MOMBE法によるAIGaSbの成長
- プラズマによる薄膜形成の基礎過程 (広がるプラズマの新しい応用--プラズマ・プロセス-3-)