TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
従来のIII-V族半導体にTl元素を加えたTlInGaAs/InP混晶について、ガスソースMBE法による成長を行った。TlInGaAsは半金属であるTlAsと半導体のInGaAsとからなる混晶で、周囲温度に依存しないバンドギャップを持つ可能性があり、波長多重(WDM)光通信用の半導体レーザ用材料として期待される。これまでに我々はTlInGaAs/InP DH LEDのエレクトロルミネセンス(EL)ピークエネルギーの温度変化が-0.088meV/Kと従来のIII-V族半導体のそれに比べて小さな値を得た。本論文では、TlInGaAs/InP DH LDを試作し、室温でのレーザ発振を得たのでその結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-08
著者
-
朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
-
朝日 一
阪大産研
-
朝日 一
大阪大学産業科学研究所
-
藤原 淳志
大阪大学産業科学研究所研
-
李 輝宰
大阪大学産業科学研究所
-
藤原 敦志
大阪大学産業科学研究所
-
溝端 亜希子
大阪大学産業科学研究所
関連論文
- 21aYK-1 稀薄磁性半導体GaCrNにおけるX線直線偏光特性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 半導体ヘテロエピタキシーの現状と展望
- IUVSTA Scientific and Technical Divisions (STD) の報告
- パターニングしたSOI基板上のGaNナノロッド成長とその評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 関西支部15周年を迎えて
- 半導体ナノスピントロニクス材料創製
- 半導体ナノスピントロニクス・デバイス
- GaNナノロッドの先端先鋭化とその電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- TlInGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ
- GaNベースの透明磁性半導体の作製と特性(「磁性薄膜作製技術」)
- 24aPS-7 希薄磁性半導体GaN:Crの光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 新磁性3-V族半導体の創製と新機能デバイス応用の研究 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- 室温透明強磁性半導体の創製と半導体スピントロニクス
- タリウム系新混晶半導体による, 発振波長の温度変化がない半導体レーザーの実現をめざして
- TlInGaAs/InP ダブルヘテロ構造LED
- 希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性
- TlInGaAs/InPダブルヘテロ構造LED
- 27aXA-5 高圧下におけるアルカリハライド不純物中心のスピン軌道相互作用
- Gas-SourceMBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- Gas-Source MBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
- GaP/InP 短周期超格子成長による自己形成量子構造
- タリウム系半導体の結晶成長 : 温度無依存バンドギャップ半導体の可能性
- 自己形成半導体量子構造と赤色発光量子デバイス (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (新デバイス材料開発技術の最前線)
- 真空系への反応性ガス,毒性ガス,微少流量の導入
- GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
- ガスソースMBE成長TlInCaP系の光学的特性
- ガスソースMBE成長TlInGaP系の光学的特性
- 新III-V族半導体TlInGaPのガスソースMBE成長
- ガスソ-ス分子線エピタキシ-法によるリン系化合物半導体の原子オ-ダ-制御
- Doping and Doped Layers(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 30pWD-4 GaN : 3dTM, (In, Mn)AsSb ベースのデバイス創製
- 窒化物半導体MBE装置
- 第10回インジウム燐および関連材料に関する国際会議報告
- 多結晶3-V族窒化物半導体/異種材料ヘテロ構造とデバイス応用の研究 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- タリウム系半導体と光通信用温度安定発振波長半導体レーザの研究 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- 薄膜成長とエピタキシー(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CS-3-4 強磁性半導体による光半導体スピントロニクスデバイス(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
- 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
- GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
- TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性
- 半導体結晶成長技術の進展と挑戦
- MOMBE法によるAIGaSbの成長