周 逸凱 | 大阪大学産業科学研究所
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概要
関連著者
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朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
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周 逸凱
大阪大学産業科学研究所
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朝日 一
阪大産研
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朝日 一
大阪大学産業科学研究所
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長谷川 繁彦
阪大・産研
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長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
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伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
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江村 修一
大阪大学産業科学研究所
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金村 雅仁
大阪大学産業科学研究所
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浅野 陵
大阪大学産業科学研究所
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金 武成
大阪大学産業科学研究所
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木村 重哉
大阪大学産業科学研究所
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崔 誠佑
大阪大学産業科学研究所
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橋本 政彦
阪大産研
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朝倉 淳
大阪大学産業科学研究所
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橋本 政彦
大阪大学産業科学研究所
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浅見 久美子
阪大・産研
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権田 俊一
阪大・産研
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浅見 久美子
大阪大学産業科学研究所
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権田 俊一
大阪大学産業科学研究所
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奥村 滋一
大阪大学産業科学研究所
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江村 修一
阪大・産研
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徳田 克彦
阪大・産研
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丹保 浩行
阪大・産研
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周 逸凱
阪大・産研
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朝日 一
阪大・産研
著作論文
- 21aYK-1 稀薄磁性半導体GaCrNにおけるX線直線偏光特性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 半導体ナノスピントロニクス材料創製
- 半導体ナノスピントロニクス・デバイス
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 新磁性3-V族半導体の創製と新機能デバイス応用の研究 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- 希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- CS-3-4 強磁性半導体による光半導体スピントロニクスデバイス(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
- 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- 希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性