橋本 政彦 | 阪大産研
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概要
関連著者
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橋本 政彦
阪大産研
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朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
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朝日 一
阪大産研
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朝日 一
大阪大学産業科学研究所
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橋本 政彦
大阪大学産業科学研究所
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播磨 尚朝
阪大産研
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柳瀬 章
阪大産研
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吉田 博
阪大産研
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周 逸凱
大阪大学産業科学研究所
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山中 隆幸
大阪大学産業科学研究所
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反保 衆志
大阪大学産業科学研究所
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金村 雅仁
大阪大学産業科学研究所
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浅野 陵
大阪大学産業科学研究所
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柳瀬 章
阪大・産研
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小林 正起
東大理
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小口 多美夫
広大院先端
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藤森 淳
東大新領域
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竹田 幸治
原子力機構
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石田 行章
東大理
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黄 鐘日
東大新領域
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長船 義敬
東大理
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岡根 哲夫
原子力機構
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石井 史之
広大理
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橋本 政彦
阪大理
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藤森 伸一
原研放射光
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長谷川 繁彦
阪大・産研
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竹田 幸治
原研放射光
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岡根 哲夫
原研放射光
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村松 康司
原研放射光
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田中 浩之
阪大産研
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長谷川 繁彦
阪大産研
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伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
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村松 康司
兵庫県立大物質理:原子力機構放射光
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橋本 政彦
広大理
著作論文
- 28aYC-9 Si中のEr不純物の結晶場の第一原理計算
- 24pYP-6 Si中のEr不純物の第一原理計算
- 24aPS-7 希薄磁性半導体GaN:Crの光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 28p-PSA-70 バナジウムスピネルLiV_2O_4のバンド構造とフェルミ面