(110)InP基板上のInGaAs/InAlAs MQWのMBE成長と光学的特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
(110)InP微傾斜基板上のInGaAs, InAlAsMQWのMBE成長とその光学特性について検討する。この中で、(110)面から[001]方向に傾斜した基板では、MQWの光学特性が著しく劣化することを示す。TEDやTEM観察から、この原因は組成の揺らぎと原子配列上のオーダリングであることを明らかにする。一方、[001]方向の微傾斜基板上のMQWでは、(001)面の場合に比べても優れた光学特性を示すことを述べる。この原因は、(110)面における単原子層の高さが本質的に小さいためであり、この点での(110)面の優位性を明らかにする。最後に、(110)MQWに特有な面内光学異方性を述べ、得られた異変性が簡単な計算から説明できることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-18
著者
関連論文
- タリウム系半導体の結晶成長 : 温度無依存バンドギャップ半導体の可能性
- ガスソースMBE成長TlInCaP系の光学的特性
- ガスソースMBE成長TlInGaP系の光学的特性
- 新III-V族半導体TlInGaPのガスソースMBE成長
- GalnAs/AllnAs系超格子の縦方向量子輸送における磁気トンネリングと電界ドメイン
- 31a-YL-3 GaInAs/AlInAs量子井戸構造におけるI-V特性と磁気トンネリング
- 2a-D-5 一様ドープGa_In_As/Al_In_As MQWの2次元電子サブバンド物性
- InAlAs/InPタイプII多重量子井戸ダイオードの光双安定性
- InP/InAlAsタイプII超格子の電流磁気効果
- 低温成長InGaAs/InAlAs MQWを用いた超高速光デバイス
- InGaAs/InGaAsP系電界制御型MQW双安定レーザの動作速度限界の解析
- サブバンド間遷移レ-ザ-
- 量子井戸サブバンド間遷移レ-ザ-
- (110)InP基板上のInGaAs/InAlAs MQWのMBE成長と光学的特性
- 25p-ZL-3 副共振器を持った、外部共振器型面発光半導体レーザー(EX-SEL)からの短パルス発生
- 電界吸収型変調器を集積した半導体素子による 100Gbit/s パルス発生
- Monolithic Devices Integrated with Electroabsorption Modulators for Short Pulse Generation and Optical TDM
- 可変波長Duplex集積光源による10Gbit/s光信号の高速波長切換動作
- 1530〜1560nm領域の任意波長への10Gbit/s信号光の可変波長変換
- 可変波長Duplex集積光源の波長ドリフト及び熱クロストークの抑制
- 広領域波長可変半導体レーザを用いた波長変換におけるチャーピング特性
- 可変波長半導体レーザを用いた多段波長変換
- 超高速半導体面型光--光スイッチとその応用